Imbrici, P., Grottesi, A., D'Adamo, M., Mannucci, R., Tucker, S., & Pessia, M. (2009). Contribution of the central hydrophobic residue in the PXP motif of voltage-dependent K+ channels to S6 flexibility and gating properties.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Imbrici, P., A. Grottesi, M. D'Adamo, R. Mannucci, S. Tucker, và M. Pessia. Contribution of the Central Hydrophobic Residue in the PXP Motif of Voltage-dependent K+ Channels to S6 Flexibility and Gating Properties. 2009.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Imbrici, P., et al. Contribution of the Central Hydrophobic Residue in the PXP Motif of Voltage-dependent K+ Channels to S6 Flexibility and Gating Properties. 2009.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.