A comparison of the hard-switching performance of 650V power transistors with calorimetric verification
We compare the switching losses of four equivalent silicon and wide-bandgap 650V power transistors operated in a hard-switched half-bridge configuration, switching 400V at 40A. Each transistor is mounted on an identical PCB and driven by a gate drive circuit matched to its requirements. Switching sp...
প্রধান লেখক: | Rogers, DJ, Bruford, J, Ristic-Smith, A, Ali, K, Palmer, P, Shelton, E |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
IEEE
2023
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
A Comparison of the Hard-Switching Performance of 650 V Power Transistors With Calorimetric Verification
অনুযায়ী: Daniel J. Rogers, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023-01-01) -
Fast switching of high current WBG power devices
অনুযায়ী: Shelton, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022) -
Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents
অনুযায়ী: Bruford, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023) -
Calibration of Tritium Microcalorimeter and Calorimetric Verification of Tritium Samples
অনুযায়ী: OUYANG Huiping;YUAN Xiaoming;HE Changshui;LI Zhuoxi;ZHANG Peixu;YANG Hongguang
প্রকাশিত: (2023-08-01) -
Comparison of fast switching high current power devices
অনুযায়ী: Shelton, E, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021)