Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
INDENTATION OF SEMICONDUCTOR S...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
INDENTATION OF SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Castell, M
,
Howie, A
,
Perovic, D
,
Whitehead, A
,
Ritchie, D
,
Churchill, A
,
Jones, G
Format:
Conference item
Publicat:
1993
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
PLASTIC-DEFORMATION UNDER MICROINDENTATIONS IN GAAS/ALAS SUPERLATTICES
per: Castell, M, et al.
Publicat: (1993)
INDENTATION PLASTICITY OF SINGLE AND MULTIPLE LAYER GAAS-ALAS HETEROSTRUCTURES
per: Castell, M, et al.
Publicat: (1993)
FIELD-EMISSION SEM IMAGING OF COMPOSITIONAL AND DOPING LAYER SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
per: Perovic, D, et al.
Publicat: (1995)
Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
per: Castell, M, et al.
Publicat: (1995)
Fracture properties of GaAs-AlAs superlattices studied by atomic force microscopy and scanning electron microscopy
per: Castell, M, et al.
Publicat: (1998)