Optical polarization in mono and bilayer MoS 2

Optical polarization in mono and bilayer MoS 2

Optical anisotropy in monolayer- and bilayer-MoS 2 was investigated by polarization resolved photoluminescence measurements. The photoluminescence of monolayer-MoS 2 is found to be partially polarized at 4.2 K and maintains this polarization characteristic up to room temperature, while the photolu...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Park, Y, Li, N, Chan, C, Reid, B, Taylor, R, Im, H
Формат:	Journal article
Опубліковано:	Elsevier 2017

Схожі ресурси

Temperature induced crossing in the optical bandgap of mono and bilayer MoS2 on SiO2
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2018)

The optical response of artificially twisted MoS $$_2$$ 2 bilayers
за авторством: M. Grzeszczyk, та інші
Опубліковано: (2021-08-01)

Strain-shear coupling in bilayer MoS2
за авторством: Jae-Ung Lee, та інші
Опубліковано: (2017-11-01)

Interplay between many body effects and Coulomb screening in the optical bandgap of atomically thin MoS2
за авторством: Park, Y, та інші
Опубліковано: (2017)

Integrated Circuits Based on Bilayer MoS
за авторством: Wang, Han, та інші
Опубліковано: (2014)

Optically Probing the Asymmetric Interlayer Coupling in Rhombohedral-Stacked MoS_{2} Bilayer
за авторством: Jing Liang, та інші
Опубліковано: (2022-10-01)

Transport and Field Emission Properties of MoS2 Bilayers
за авторством: Francesca Urban, та інші
Опубліковано: (2018-03-01)

Evolution of the Polarizing Effect of MoS2
за авторством: Sathiyan, S., та інші
Опубліковано: (2015)

Atomic structure and dynamics of defects in 2D MoS2 bilayers
за авторством: Zhou, S, та інші
Опубліковано: (2017)

Laser-induced anharmonicity vs thermally induced biaxial compressive strain in mono- and bilayer MoS2 grown via CVD
за авторством: Kishore K. Madapu, та інші
Опубліковано: (2020-08-01)

Atomic Structure and Dynamics of Defects in 2D MoS2 Bilayers
за авторством: Si Zhou, та інші
Опубліковано: (2017-07-01)

Orientation dependent interlayer stacking structure in bilayer MoS2 domains
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2017)

Na transport in bilayer MoS2 and MoS2-WS2 heterojunction with S vacancy defect: First-principles study
за авторством: Jin Xiao, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

The effects of surface polarity and dangling bonds on the electronic properties of monolayer and bilayer MoS2 on α-quartz
за авторством: Ha-Jun Sung, та інші
Опубліковано: (2014-01-01)

Interlocking friction governs the mechanical fracture of bilayer MoS2
за авторством: Jung, GS, та інші
Опубліковано: (2018)

Gate-tunable resonant Raman spectroscopy of bilayer MoS2
за авторством: Lu, Xin, та інші
Опубліковано: (2020)

Spin-orbit proximity in MoS2/bilayer graphene heterostructures
за авторством: Michele Masseroni, та інші
Опубліковано: (2024-10-01)

Observation of weak localization in dual-gated bilayer MoS_{2}
за авторством: Tingyu Qu, та інші
Опубліковано: (2024-02-01)

Determining the interlayer shearing in twisted bilayer MoS2 by nanoindentation
за авторством: Yufei Sun, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

Highly nonlinear dipolar exciton-polaritons in bilayer MoS2
за авторством: Biswajit Datta, та інші
Опубліковано: (2022-10-01)

Ultrafast Nonlinear Optical Excitation Behaviors of Mono- and Few-Layer Two Dimensional MoS2
за авторством: Yizhi Wang, та інші
Опубліковано: (2018-10-01)

Transient terahertz spectroscopy of mono- and tri-layer CVD-grown MoS 2
за авторством: Docherty, C, та інші
Опубліковано: (2013)

Interlayer exciton mediated second harmonic generation in bilayer MoS2
за авторством: Shivangi Shree, та інші
Опубліковано: (2021-11-01)

Non-volatile electrical polarization switching via domain wall release in 3R-MoS2 bilayer
за авторством: Dongyang Yang, та інші
Опубліковано: (2024-02-01)

Interlayer Coupling and Pressure Engineering in Bilayer MoS<sub>2</sub>
за авторством: Wei Qiao, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Polylactic‐Acid Having MoS2 Particles for Reversible Bilayer Actuators
за авторством: Cristobal Nolasco, та інші
Опубліковано: (2024-05-01)

Observation of an intermediate state during lithium intercalation of twisted bilayer MoS2
за авторством: Yecun Wu, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Scalable Bilayer MoS2‐Based Vertically Inverted p–i–n Light‐Emitting Diodes
за авторством: Healin Im, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

All-fiber optical polarization modulation system using MoS2 as modulator
за авторством: Ahmad, Harith, та інші
Опубліковано: (2019)

Vapor deposition of bilayer 3R MoS2 with room-temperature ferroelectricity
за авторством: Jiang, Hanjun, та інші
Опубліковано: (2024)

Sliding ferroelectric memories and synapses based on rhombohedral-stacked bilayer MoS2
за авторством: Xiuzhen Li, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

A generic tight-binding model for monolayer, bilayer and bulk MoS2
за авторством: Ferdows Zahid, та інші
Опубліковано: (2013-05-01)

Intrinsic Electronic Transport Properties of High-Quality Monolayer and Bilayer MoS[subscript 2]
за авторством: Baugher, Britton W. H., та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature induced modulation of resonant Raman scattering in bilayer 2H-MoS2
за авторством: Mukul Bhatnagar, та інші
Опубліковано: (2022-08-01)

Electronic and optical properties of molybdenum disulfide (MoS2) mono layer using density functional theory (DFT) calculations
за авторством: Zeleke Deressa Gerbi
Опубліковано: (2025-02-01)

The effects of spin-orbit coupling on optical properties of monolayer $$\text {MoS}_{2}$$ MoS 2 due to mechanical strains
за авторством: H. Rezania, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Ultra-low power consumption flexible sensing electronics by dendritic bilayer MoS2
за авторством: Luo, Lei, та інші
Опубліковано: (2024)

Ultra‐low power consumption flexible sensing electronics by dendritic bilayer MoS2
за авторством: Lei Luo, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Direct observation of multiple rotational stacking faults coexisting in freestanding bilayer MoS2
за авторством: Zuocheng Li, та інші
Опубліковано: (2017-08-01)

The Transition From MoS2 Single-Layer to Bilayer Growth on the Au(111) Surface
за авторством: Moritz Ewert, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)