Weiter zum Inhalt
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprache
Alle Felder
Titel
Verfasser
Schlagwort
Signatur
ISBN/ISSN
Tag
Suchen
Erweitert
A new type of defect on {11(2)...
Zitieren
SMS versenden
Als E-Mail versenden
Drucken
Datensatz exportieren
Exportieren nach RefWorks
Exportieren nach EndNoteWeb
Exportieren nach EndNote
Persistenter Link
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
Format:
Journal article
Veröffentlicht:
2001
Exemplare
Beschreibung
Ähnliche Einträge
Internformat
Beschreibung
Zusammenfassung:
Ähnliche Einträge
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
von: Akiyoshi, M, et al.
Veröffentlicht: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
von: Mohd Idzat Idris, et al.
Veröffentlicht: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
von: Leide, A, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
von: Alex Leide, et al.
Veröffentlicht: (2025-02-01)
Dependence of the defect introduction rate on irradiation dose of p-Si by fast-pile neutrons
von: A. P. Dolgolenko, et al.
Veröffentlicht: (2007-06-01)