इसे छोड़कर सामग्री पर बढ़ने के लिए
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
भाषा
सभी फ़ील्ड्स
शीर्षक
लेखक
विषय
बोधानक
आईएसबीएन / आईएसएसएन
टैग
खोज
उन्नत
A new type of defect on {11(2)...
इसे उद्धृत करें
इसका टेक्स्ट मैसेज भेजे
इसे ईमेल करें
प्रिंट
निर्यात रिकॉर्ड
को निर्यात RefWorks
को निर्यात EndNoteWeb
को निर्यात EndNote
स्थायी लिंक
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखकों:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
स्वरूप:
Journal article
प्रकाशित:
2001
होल्डिंग्स
विवरण
समान संसाधन
स्टाफ के लिए
विवरण
सारांश:
समान संसाधन
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
द्वारा: Akiyoshi, M, और अन्य
प्रकाशित: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
द्वारा: Mohd Idzat Idris, और अन्य
प्रकाशित: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
द्वारा: Leide, A, और अन्य
प्रकाशित: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
द्वारा: Alex Leide, और अन्य
प्रकाशित: (2025-02-01)
Dependence of the defect introduction rate on irradiation dose of p-Si by fast-pile neutrons
द्वारा: A. P. Dolgolenko, और अन्य
प्रकाशित: (2007-06-01)