A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
প্রধান লেখক: | Akiyoshi, M, Yano, T, Jenkins, M |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
2001
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
অনুযায়ী: Akiyoshi, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001) -
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
অনুযায়ী: Mohd Idzat Idris, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016-12-01) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
অনুযায়ী: Leide, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
অনুযায়ী: Alex Leide, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025-02-01) -
Dependence of the defect introduction rate on irradiation dose of p-Si by fast-pile neutrons
অনুযায়ী: A. P. Dolgolenko, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007-06-01)