A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Հիմնական հեղինակներ: | Akiyoshi, M, Yano, T, Jenkins, M |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
2001
|
Նմանատիպ նյութեր
-
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
: Akiyoshi, M, և այլն
Հրապարակվել է: (2001) -
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
: Mohd Idzat Idris, և այլն
Հրապարակվել է: (2016-12-01) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
: Leide, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2025) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
: Alex Leide, և այլն
Հրապարակվել է: (2025-02-01) -
Dependence of the defect introduction rate on irradiation dose of p-Si by fast-pile neutrons
: A. P. Dolgolenko, և այլն
Հրապարակվել է: (2007-06-01)