A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Автори: | Akiyoshi, M, Yano, T, Jenkins, M |
---|---|
Формат: | Journal article |
Опубліковано: |
2001
|
Схожі ресурси
-
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
за авторством: Akiyoshi, M, та інші
Опубліковано: (2001) -
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
за авторством: Mohd Idzat Idris, та інші
Опубліковано: (2016-12-01) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
за авторством: Leide, A, та інші
Опубліковано: (2025) -
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
за авторством: Alex Leide, та інші
Опубліковано: (2025-02-01) -
Ion-implantation-induced extended defect formation in (0001) and (11(2)over-bar0) 4H-SiC
за авторством: Wong-Leung, J, та інші
Опубліковано: (2005)