Μετάβαση στο περιεχόμενο
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Γλώσσα
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
A new type of defect on {11(2)...
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Εκτύπωση
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Μόνιμος σύνδεσμος
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
Μορφή:
Journal article
Έκδοση:
2001
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
ανά: Akiyoshi, M, κ.ά.
Έκδοση: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
ανά: Mohd Idzat Idris, κ.ά.
Έκδοση: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
ανά: Leide, A, κ.ά.
Έκδοση: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
ανά: Alex Leide, κ.ά.
Έκδοση: (2025-02-01)
Ion-implantation-induced extended defect formation in (0001) and (11(2)over-bar0) 4H-SiC
ανά: Wong-Leung, J, κ.ά.
Έκδοση: (2005)