Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
שפה
כל השדות
כותר
מחבר
נושא
סימן המיקום
ISBN/ISSN
תג
מצא
מתקדם
A new type of defect on {11(2)...
יצירת מראה מקום
שליחה במסרון
שלח את זה
הדפסה
יצוא רשומה
יצוא אל RefWorks
יצוא אל EndNoteWeb
יצוא אל EndNote
Permanent link
A new type of defect on {11(2)over-bar0} planes in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
מידע ביבליוגרפי
Main Authors:
Akiyoshi, M
,
Yano, T
,
Jenkins, M
פורמט:
Journal article
יצא לאור:
2001
מלאי ספרים
תיאור
פריטים דומים
תצוגת צוות
פריטים דומים
A structural model of defects in beta-Si3N4 produced by neutron irradiation
מאת: Akiyoshi, M, et al.
יצא לאור: (2001)
Defects annihilation behavior of neutron-irradiated SiC ceramics densified by liquid-phase-assisted method after post-irradiation annealing
מאת: Mohd Idzat Idris, et al.
יצא לאור: (2016-12-01)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
מאת: Leide, A, et al.
יצא לאור: (2025)
Effect of microstructure and neutron irradiation defects on deuterium retention in SiC
מאת: Alex Leide, et al.
יצא לאור: (2025-02-01)
Ion-implantation-induced extended defect formation in (0001) and (11(2)over-bar0) 4H-SiC
מאת: Wong-Leung, J, et al.
יצא לאור: (2005)