SUPERLATTICE MODIFICATION OF THE VALENCE-BAND SPIN SPLITTING IN INXGA1-XAS/GAAS SUPERLATTICES UP TO 45-T

SUPERLATTICE MODIFICATION OF THE VALENCE-BAND SPIN SPLITTING IN INXGA1-XAS/GAAS SUPERLATTICES UP TO 45-T

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Warburton, R, Nicholas, R, Sasaki, S, Miura, N, Woodbridge, K
التنسيق:	Journal article
منشور في:	1993

مواد مشابهة

MINIBAND STRUCTURE IN INXGA1-XAS-GAAS STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
حسب: Pulsford, N, وآخرون
منشور في: (1991)

VALENCE BAND SPIN OF SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
حسب: Warburton, R, وآخرون
منشور في: (1992)

Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
حسب: Ahmed Z. Obaid, وآخرون
منشور في: (2024-09-01)

STRAIN AND MINIBANDS IN INGAAS-GAAS SUPERLATTICES
حسب: Pulsford, N, وآخرون
منشور في: (1991)

OPTICAL INVESTIGATION OF SUPERLATTICE ORBITS AND IMPURITY STATES IN INGAAS/GAAS
حسب: Warburton, R, وآخرون
منشور في: (1994)

SIMULATION OF SOLAR CELLS BASED ON HETEROSTRUCTURES AlxGa1-xAs - InxGa1-xAs - GaAs
حسب: Oleg V. Devitsky, وآخرون
منشور في: (2022-05-01)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
حسب: Liao, X, وآخرون
منشور في: (1999)

Topographical, compositional, and dopant contrast from cleavage surfaces of GaAs-AlxGa1-xAs superlattices
حسب: Castell, M, وآخرون
منشور في: (1995)

VALENCE BAND SPIN SPLITTING IN STRAINED IN0.18GA0.82AS/GAAS QUANTUM-WELLS
حسب: Warburton, R, وآخرون
منشور في: (1991)

CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1991)

HOLE-STATE REVERSAL AND THE ROLE OF RESIDUAL STRAIN IN (IN,GA)AS-GAAS SUPERLATTICES
حسب: Moore, K, وآخرون
منشور في: (1991)

Transmission-electron microscopy study of the shape of buried InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
حسب: Liao, X, وآخرون
منشور في: (1998)

EVOLUTION OF THE ELECTRONIC STATES OF COUPLED (IN,GA)AS-GAAS QUANTUM-WELLS INTO SUPERLATTICE MINIBANDS
حسب: Moore, K, وآخرون
منشور في: (1990)

Transmission electron microscopy study of InxGa1-xAs quantum dots on a GaAs(001) substrate
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1999)

Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots
حسب: Lobo, C, وآخرون
منشور في: (2000)

A TRANSITION FROM QUANTUM WELL TO SUPERLATTICE BEHAVIOR IN GAAS-ALAS SHORT-PERIOD SUPERLATTICES
حسب: Pulsford, N, وآخرون
منشور في: (1989)

MODULATED MOLECULAR-BEAM MASS-SPECTROMETRY STUDIES OF THE GROWTH OF GAAS AND INXGA1-XAS USING TRI-ISOBUTYLGALLIUM
حسب: Levoguer, C, وآخرون
منشور في: (1994)

Synthesizing InxGa1−xAs using molten In and GaAs by the sessile drop method at 400–600 °C
حسب: Liang Zhao, وآخرون
منشور في: (2017-06-01)

Indium segregation and enrichment in coherent InxGa1-xAs/GaAs quantum dots (vol 82, pg 5148, 1999)
حسب: Liao, X, وآخرون
منشور في: (1999)

QUASI-BOND STATES IN AN ASYMMETRIC GAAS-ALAS SUPERLATTICE
حسب: Singleton, J, وآخرون
منشور في: (1987)

Bulk Rashba‐Type Spin Splitting in Non‐Centrosymmetric Artificial Superlattices
حسب: Woo Seung Ham, وآخرون
منشور في: (2023-04-01)

Influence of variation in indium concentration and temperature on the threshold current density in InxGa1-xAs/GaAs QD laser diodes
حسب: Zainab M. Alharbi, وآخرون
منشور في: (2025-01-01)

Effect of boron incorporation on the structural and photoluminescence properties of highly-strained InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells
حسب: Qi Wang, وآخرون
منشور في: (2013-07-01)

PLASTIC-DEFORMATION UNDER MICROINDENTATIONS IN GAAS/ALAS SUPERLATTICES
حسب: Castell, M, وآخرون
منشور في: (1993)

Photoluminescence study of the dynamical properties of GaAs sawtooth superlattices
حسب: Johnston, M, وآخرون
منشور في: (1997)

GROWTH AND MBMS STUDIES OF REACTION-MECHANISMS FOR INXGA1-XAS CBE
حسب: Singh, N, وآخرون
منشور في: (1992)

Resonant LO phonon enhanced conductivity in GaAs-AlAs superlattices
حسب: Dalton, K, وآخرون
منشور في: (2001)

Inhomogeneous sources of misfit dislocation generation in InxGa1-xAs/GaAs strained-layer heterostructures grown by molecular beam epitaxy
حسب: Zou, J, وآخرون
منشور في: (1997)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
حسب: Oleg V. Devitsky, وآخرون
منشور في: (2022-09-01)

Spin-obit coupling in optical superlattices
حسب: Huang, Wujie
منشور في: (2016)

The effect of strain and orientation on Inx̳Ga₁₋x̳As layers grown by molecular beam epitaxy
حسب: Elcess, Kimberley
منشور في: (2017)

Optical properties of InAs/GaAs quantum dot superlattice structures
حسب: Ali Imran, وآخرون
منشور في: (2018-06-01)

Comparison of electronic band structure and optical transparency conditions of InxGa1−xAs1−yNy∕GaAs quantum wells calculated by 10-band, 8-band, and 6-band k∙p models
حسب: Ng, S., وآخرون
منشور في: (2013)

Ferromagnetism in Narrow Bands of Moiré Superlattices
حسب: Repellin, Cécile, وآخرون
منشور في: (2022)

Topological Bloch bands in graphene superlattices
حسب: Song, Justin C. W., وآخرون
منشور في: (2016)

Band offsets in strained layer superlattices
حسب: M. Oloumi, وآخرون
منشور في: (2004-12-01)

GAMMA-CHI MIXING IN THE MINIBAND STRUCTURE OF A GAAS/ALAS SUPERLATTICE
حسب: Pulsford, N, وآخرون
منشور في: (1989)

OSCILLATORY BEHAVIOR IN THE PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION AND PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRA OF GAAS-ALAS SUPERLATTICES
حسب: Moore, K, وآخرون
منشور في: (1989)

DIRECT OBSERVATION OF THE SEMIMETAL TO SEMICONDUCTOR TRANSITION IN CROSSED BAND-GAP SUPERLATTICES AT MAGNETIC-FIELDS OF UP TO 150-T
حسب: Barnes, D, وآخرون
منشور في: (1994)

SADDLE-POINT EXCITONS AND INTRABAND (GAMMA-PI) MIXING IN STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
حسب: Lawless, M, وآخرون
منشور في: (1992)