QUANTUM OSCILLATIONS AT A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROJUNCTION INTERFACE

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Nicholas, R, Brummell, M, Portal, J, Razeghi, M, Poisson, M
বিন্যাস:	Journal article
প্রকাশিত:	1982

PRESSURE-DEPENDENCE STUDY OF THE EFFECTIVE MASS IN GA0.47IN0.53AS/INP HETEROJUNCTIONS
অনুযায়ী: Gauthier, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1988)

FREQUENCY-SHIFTED POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS HETEROJUNCTIONS
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1985)

ELECTRON-OPTIC PHONON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS BASED HETEROSTRUCTURES
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1986)

SHALLOW DONOR SPECTROSCOPY AND POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1985)

OPTICAL STUDIES OF EXCITONS IN GA0.47IN0.53AS/INP MULTIPLE QUANTUM-WELLS
অনুযায়ী: Westland, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1987)

1ST OBSERVATION OF THE QUANTUM HALL-EFFECT IN A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROSTRUCTURE WITH 3 ELECTRIC SUBBANDS
অনুযায়ী: Razeghi, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1986)

INTER-BAND MAGNETOABSORPTION IN A GA0.47IN0.53AS-AL0.48IN0.52AS QUANTUM-WELL
অনুযায়ী: Rogers, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1986)

650～700℃ LPE生长三元合金In0.53Ga0.47As/（100）Inp
অনুযায়ী: 李树翔
প্রকাশিত: (1988-01-01)

Fabrication and Characterization of In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As Composite Channel Metamorphic HEMTs (mHEMTs) on a GaAs Substrate
অনুযায়ী: Seung Heon Shin, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-12-01)

Tunneling field-effect transistor with Ge/In0.53Ga0.47As heterostructure as tunneling junction
অনুযায়ী: Hu, Hailong., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Photoluminescence characterization of midinfrared InNxAs1-x/In0.53Ga0.47As/InP multiquantum wells with various N contents
অনুযায়ী: Sun, Handong, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009)

Optimization of Fluorine Plasma Treatment for Interface Improvement on HfO2/In0.53Ga0.47As MOSFETs
অনুযায়ী: Yen-Ting Chen, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012-03-01)

Local structure of Pb(Zr0.53Ti0.47)O-3
অনুযায়ী: Baba-Kishi, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Infrared spectroscopic ellipsometry study of sulfur-doped In0.53Ga0.47As ultra-shallow junctions
অনুযায়ী: Richard D'Costa, Vijay, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Comprehensive analysis of In0.53Ga0.47As SOI-FinFET for enhanced RF/wireless performance
অনুযায়ী: Priyanka Agrwal, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025-02-01)

Effect of Ridge Width on the Lasing Characteristics of Triangular and Rectangular InAs/In0.53Ga0.47As Quantum Well Lasers
অনুযায়ী: Zhejing Jiao, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022-01-01)

High mobility In[subscript 0.53]Ga[subscript 0.47]As quantum-well metal oxide semiconductor field effect transistor structures
অনুযায়ী: Yang, Li, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

MAGNETOTRANSPORT IN GAINAS-INP HETEROJUNCTIONS AND SUPER-LATTICES
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983)

Degradation mechanisms of the Pb1−хBaхZr0,53Ti0,47O3−δ ferroelectric structure
অনুযায়ী: L. I. Hurski, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020-11-01)

Large area deep ultraviolet light of Al0.47Ga0.53N/Al0.56Ga0.44N multi quantum well with carbon nanotube electron beam pumping
অনুযায়ী: Sung Tae Yoo, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019-07-01)

适用于长波长光纤通信的0.95～1.65μm In0.53Ga0.47As光电二极管
অনুযায়ী: 沙延洪, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1982-01-01)

Multiferroic CoFe2O4-Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 thick films for magnetoelectric application
অনুযায়ী: Chen, Wei
প্রকাশিত: (2012)

High Mobility In0.53Ga0.47As MOSFETs With Steep Sub-Threshold Slope Achieved by Remote Reduction of Native III-V Oxides With Metal Electrodes
অনুযায়ী: S. Yoshida, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-01-01)

Fabrication and Electrical Characterization of Lead-Free BiFe0.91(Mn0.47Ti0.53)0.09O3–BaTiO3 Ceramics
অনুযায়ী: Nguyen Truong Tho
প্রকাশিত: (2020-06-01)

Thickness Dependence of Ferroelectric and Optical Properties in Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 Thin Films
অনুযায়ী: Jian He, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019-09-01)

Correlation between Optical Localization-State and Electrical Deep-Level State in In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Quantum Well Structure
অনুযায়ী: Il-Ho Ahn, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021-02-01)

Performance Analysis of TaSiOx Inspired Sub-10 nm Energy Efficient In0.53Ga0.47As Quantum Well Tri-Gate Technology
অনুযায়ী: Sarat K. Saluru, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-01-01)

Dielectric relaxation and modulus spectroscopy analysis of (Na0.47 K0.47 Li0.06) NbO3 ceramics
অনুযায়ী: Md Kashif Shamim, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2017-06-01)

Aerosol Deposited Polycrystalline PbZr0.53Ti0.47O3 Thick Films with a Large Transverse Piezoelectric Coefficient
অনুযায়ী: Long Teng, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2025-02-01)

Electrical properties and electromagnetic radiation characteristics of cement/Ba0.06Bi0.47Na0.47TiO3 composites
অনুযায়ী: Kumar Amit, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-06-01)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE IN GAINAS-INP SUPER-LATTICES
অনুযায়ী: Brummell, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983)

Inter-band magneto-absorption in a Ga0.3In0.7As-InP strained layer superlattice
অনুযায়ী: Rogers, D, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1986)

PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN GA0.49IN0.51P/GAAS HETEROJUNCTIONS
অনুযায়ী: Benamor, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1989)

HIGH MAGNETIC-FIELD STUDIES OF THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN GALNAS-INP SUPER-LATTICES
অনুযায়ী: Portal, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE IN GAINAS-INP AND GAINAS-ALINAS HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES
অনুযায়ী: Portal, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1984)

THERMOELECTRIC-POWER OF GAINAS-INP AND GAINAS-A1INAS HETEROJUNCTIONS IN A MAGNETIC-FIELD
অনুযায়ী: Brummell, M, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1986)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE .1. GAINAS-INP SUPER-LATTICES
অনুযায়ী: Portal, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1983)

ELECTRICAL-PHYSICAL AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Pb0,85Zr0,53Ti0,47O3 - Sr2FeMoO6-δ COMPOSITES
অনুযায়ী: A. L. Gurskii, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2019-06-01)

HARMONIC IMAGING STUDIES OF ILLUMINATION UNIFORMITY FOR 0.53-MU-ABLATIVE COMPRESSIONS
অনুযায়ী: Aboites, V, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1984)

Measurement of the uniformity of ablation for 0.53 μm laser irradiation of spherical targets
অনুযায়ী: Apte, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1988)

QUANTUM OSCILLATIONS AT A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROJUNCTION INTERFACE

অনুরূপ উপাদানগুলি

অনুরূপ উপাদানগুলি