Anar al contingut
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Avançada
  • The radiation hardness and tem...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
The radiation hardness and temperature stability of Planar Light-wave Circuit splitters for the High Luminosity LHC

The radiation hardness and temperature stability of Planar Light-wave Circuit splitters for the High Luminosity LHC

Veure altres versions (1)
Dades bibliogràfiques
Autors principals: Ryder, N, Hamilton, P, Huffman, B, Teng, P, Weidberg, A, Issever, C
Format: Journal article
Publicat: 2011
  • Fons
  • Descripció
  • Altra versió (1)
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • The radiation hardness and temperature stability of Planar Light-wave Circuit splitters for the High Luminosity LHC
    per: Ryder, N, et al.
    Publicat: (2011)
  • The radiation hardness of certain optical fibres for the LHC upgrades at -25°C
    per: Issever, C, et al.
    Publicat: (2009)
  • Mini-MALTA: Radiation hard pixel designs for small-electrode monolithic CMOS sensors for the High Luminosity LHC
    per: Dyndal, M, et al.
    Publicat: (2020)
  • The radiation hardness of specific multi-mode and single-mode optical fibres at -25°C beyond a full SLHC dose to a dose of 500 kGy(Si)
    per: Huffman, B, et al.
    Publicat: (2010)
  • The radiation hardness of specific multi-mode and single-mode optical fibres at-25 degrees C beyond a full SLHC dose to a dose of 500 kGy(Si)
    per: Huffman, B, et al.
    Publicat: (2010)

Opcions de cerca

  • Historial de cerca
  • Cerca avançada

Trobar-ne més

  • Explorar el catàleg
  • Explorar alfabèticament
  • Explora canals
  • Bibliografia recomanada
  • Nous ítems

Necessites ajuda?

  • Consells de cerca
  • Pregunteu al bibliotecari
  • FAQs