Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Emziane, M, Nicholas, R
Médium:	Journal article
Vydáno:	2007

Podobné jednotky

Implementation and study of photovoltaic cells based on InP lattice-matched InGaAs and InGaAsP
Autor: Emziane, M, a další
Vydáno: (2007)

Lattice-matched InGaAs on InP thermophovoltaic cells
Autor: Tuley, R, a další
Vydáno: (2013)

InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
Autor: Yu Hailong, a další
Vydáno: (2022-01-01)

InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
Autor: P. R. A. Binetti, a další
Vydáno: (2010-01-01)

Fabrication and assessment of optimized InGaAs single-junction TPV cells
Autor: Emziane, M, a další
Vydáno: (2007)

Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates
Autor: Soresi Stefano, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Kerr nonlinearity and group velocity dispersion of InGaAs/InP and GaAsSb/InP waveguides in the mid-infrared
Autor: Kevin Zhang, a další
Vydáno: (2023-06-01)

Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
Autor: Thi Kim Oanh Vu, a další
Vydáno: (2022-07-01)

The electrical and optical characterization of the InGaAs/InP alloy system
Autor: Towe, Elias D
Vydáno: (2005)

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管
Autor: 李平, a další
Vydáno: (1986-01-01)

Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array
Autor: Wei He, a další
Vydáno: (2020-06-01)

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs with pseudomorphic Schottky barriers
Autor: Lee, Kenneth Sunghwan
Vydáno: (2007)

Dynamics of the kink effect in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Autor: Ernst, Alexander N. (Alexander Nicolai)
Vydáno: (2008)

Design Criteria for InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode
Autor: Fabio Acerbi, a další
Vydáno: (2013-01-01)

Design and Investigation of InGaAs/InP/InAlAs MOSFET With Optimized Switching Efficiency
Autor: Swastik Kumar Sahu, a další
Vydáno: (2024-01-01)

High-Efficiency and High-Power Multijunction InGaAs/InP Photovoltaic Laser Power Converters for 1470 nm
Autor: Simon Fafard, a další
Vydáno: (2022-06-01)

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
Autor: Lloyd-Hughes, J, a další
Vydáno: (2005)

Active Area Uniformity of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes
Autor: A. Tosi, a další
Vydáno: (2011-01-01)

Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
Autor: Qiugui Zhou, a další
Vydáno: (2013-01-01)

InP/InGaAs/AlGaAs quantum-well semiconductor laser with an InP based 1550 nm n-GaAsSb single waveguide structure
Autor: Zhian Ning, a další
Vydáno: (2023-07-01)

Surface roughness anisotopy on mismatched InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
Autor: Sinn, Matthew T. (Matthew Thomas)
Vydáno: (2005)

Fabrication and characterization of InP/InGaAs Metamorphic heterojunction bipolar transistors (HBTs)
Autor: Yang, Hong
Vydáno: (2008)

Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
Autor: الهام كاضم أونيس
Vydáno: (2009-12-01)

用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究
Autor: 刘涛, a další
Vydáno: (1995-01-01)

多层梯度层InGaAs（P）／InP　SAGM雪崩光电二极管
Autor: 李平, a další
Vydáno: (1994-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量
Autor: 丁国庆
Vydáno: (1989-01-01)

TCAD Simulation Study of ESD Behavior of InGaAs/InP Heterojunction Tunnel FETs
Autor: Zhihua Zhu, a další
Vydáno: (2020-11-01)

The Study of Deep Level Traps and Their Influence on Current Characteristics of InP/InGaAs Heterostructures
Autor: Xiaohong Zhao, a další
Vydáno: (2019-08-01)

Room temperature continuous frequency tuning InGaAs/InP single-photon detector
Autor: Huan Chen, a další
Vydáno: (2018-07-01)

Molecular beam epitaxial growth and charcterization of mismatched InGaAs and InAlAs layers on InP
Autor: Bennett, Brian R. (Brian Robert)
Vydáno: (2006)

GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化
Autor: 丁国庆, a další
Vydáno: (1984-01-01)

Investigation of InGaAsP-based solar cells for double-junction photovoltaic devices
Autor: Emziane, A, a další
Vydáno: (2008)

Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.
Autor: Hiskett, P, a další
Vydáno: (2000)

Characteristics of InAlAs/InGaAs heterostructures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
Autor: Miao, Yubo.
Vydáno: (2009)

MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
Autor: Singh, Nandan, a další
Vydáno: (2016)

Compact InGaAs/InP Single-Photon Detector Module with Ultra-Narrowband Interference Circuits
Autor: Zhengyu Yan, a další
Vydáno: (2023-01-01)

长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性
Autor: 李平
Vydáno: (1990-01-01)

Gate-Free InGaAs/InP Single-Photon Detector Working at Up to 100 Mcount/s
Autor: Alberto Tosi, a další
Vydáno: (2013-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性
Autor: 丁国庆
Vydáno: (1990-01-01)

A magneto-optical study of interdiffusion in InGaAs/InP quantum wells: Effects of heat treatment, substrates, and dopants
Autor: Wong, S, a další
Vydáno: (1996)