Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Bibliografiset tiedot
Päätekijät:	Emziane, M, Nicholas, R
Aineistotyyppi:	Journal article
Julkaistu:	2007

Samankaltaisia teoksia

Implementation and study of photovoltaic cells based on InP lattice-matched InGaAs and InGaAsP
Tekijä: Emziane, M, et al.
Julkaistu: (2007)

Lattice-matched InGaAs on InP thermophovoltaic cells
Tekijä: Tuley, R, et al.
Julkaistu: (2013)

InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
Tekijä: Yu Hailong, et al.
Julkaistu: (2022-01-01)

InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
Tekijä: P. R. A. Binetti, et al.
Julkaistu: (2010-01-01)

Fabrication and assessment of optimized InGaAs single-junction TPV cells
Tekijä: Emziane, M, et al.
Julkaistu: (2007)

Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates
Tekijä: Soresi Stefano, et al.
Julkaistu: (2023-01-01)

Kerr nonlinearity and group velocity dispersion of InGaAs/InP and GaAsSb/InP waveguides in the mid-infrared
Tekijä: Kevin Zhang, et al.
Julkaistu: (2023-06-01)

Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
Tekijä: Thi Kim Oanh Vu, et al.
Julkaistu: (2022-07-01)

The electrical and optical characterization of the InGaAs/InP alloy system
Tekijä: Towe, Elias D
Julkaistu: (2005)

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管
Tekijä: 李平, et al.
Julkaistu: (1986-01-01)

Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array
Tekijä: Wei He, et al.
Julkaistu: (2020-06-01)

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs with pseudomorphic Schottky barriers
Tekijä: Lee, Kenneth Sunghwan
Julkaistu: (2007)

Dynamics of the kink effect in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Tekijä: Ernst, Alexander N. (Alexander Nicolai)
Julkaistu: (2008)

Design Criteria for InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode
Tekijä: Fabio Acerbi, et al.
Julkaistu: (2013-01-01)

Design and Investigation of InGaAs/InP/InAlAs MOSFET With Optimized Switching Efficiency
Tekijä: Swastik Kumar Sahu, et al.
Julkaistu: (2024-01-01)

High-Efficiency and High-Power Multijunction InGaAs/InP Photovoltaic Laser Power Converters for 1470 nm
Tekijä: Simon Fafard, et al.
Julkaistu: (2022-06-01)

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
Tekijä: Lloyd-Hughes, J, et al.
Julkaistu: (2005)

Active Area Uniformity of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes
Tekijä: A. Tosi, et al.
Julkaistu: (2011-01-01)

Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
Tekijä: Qiugui Zhou, et al.
Julkaistu: (2013-01-01)

InP/InGaAs/AlGaAs quantum-well semiconductor laser with an InP based 1550 nm n-GaAsSb single waveguide structure
Tekijä: Zhian Ning, et al.
Julkaistu: (2023-07-01)

Surface roughness anisotopy on mismatched InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
Tekijä: Sinn, Matthew T. (Matthew Thomas)
Julkaistu: (2005)

Fabrication and characterization of InP/InGaAs Metamorphic heterojunction bipolar transistors (HBTs)
Tekijä: Yang, Hong
Julkaistu: (2008)

Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
Tekijä: الهام كاضم أونيس
Julkaistu: (2009-12-01)

用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究
Tekijä: 刘涛, et al.
Julkaistu: (1995-01-01)

多层梯度层InGaAs（P）／InP　SAGM雪崩光电二极管
Tekijä: 李平, et al.
Julkaistu: (1994-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量
Tekijä: 丁国庆
Julkaistu: (1989-01-01)

TCAD Simulation Study of ESD Behavior of InGaAs/InP Heterojunction Tunnel FETs
Tekijä: Zhihua Zhu, et al.
Julkaistu: (2020-11-01)

The Study of Deep Level Traps and Their Influence on Current Characteristics of InP/InGaAs Heterostructures
Tekijä: Xiaohong Zhao, et al.
Julkaistu: (2019-08-01)

Room temperature continuous frequency tuning InGaAs/InP single-photon detector
Tekijä: Huan Chen, et al.
Julkaistu: (2018-07-01)

Molecular beam epitaxial growth and charcterization of mismatched InGaAs and InAlAs layers on InP
Tekijä: Bennett, Brian R. (Brian Robert)
Julkaistu: (2006)

GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化
Tekijä: 丁国庆, et al.
Julkaistu: (1984-01-01)

Investigation of InGaAsP-based solar cells for double-junction photovoltaic devices
Tekijä: Emziane, A, et al.
Julkaistu: (2008)

Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.
Tekijä: Hiskett, P, et al.
Julkaistu: (2000)

Characteristics of InAlAs/InGaAs heterostructures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
Tekijä: Miao, Yubo.
Julkaistu: (2009)

MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
Tekijä: Singh, Nandan, et al.
Julkaistu: (2016)

Compact InGaAs/InP Single-Photon Detector Module with Ultra-Narrowband Interference Circuits
Tekijä: Zhengyu Yan, et al.
Julkaistu: (2023-01-01)

长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性
Tekijä: 李平
Julkaistu: (1990-01-01)

Gate-Free InGaAs/InP Single-Photon Detector Working at Up to 100 Mcount/s
Tekijä: Alberto Tosi, et al.
Julkaistu: (2013-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性
Tekijä: 丁国庆
Julkaistu: (1990-01-01)

A magneto-optical study of interdiffusion in InGaAs/InP quantum wells: Effects of heat treatment, substrates, and dopants
Tekijä: Wong, S, et al.
Julkaistu: (1996)