Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP

Бібліографічні деталі
Автори:	Emziane, M, Nicholas, R
Формат:	Journal article
Опубліковано:	2007

Схожі ресурси

Implementation and study of photovoltaic cells based on InP lattice-matched InGaAs and InGaAsP
за авторством: Emziane, M, та інші
Опубліковано: (2007)

Lattice-matched InGaAs on InP thermophovoltaic cells
за авторством: Tuley, R, та інші
Опубліковано: (2013)

InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
за авторством: Yu Hailong, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
за авторством: P. R. A. Binetti, та інші
Опубліковано: (2010-01-01)

Fabrication and assessment of optimized InGaAs single-junction TPV cells
за авторством: Emziane, M, та інші
Опубліковано: (2007)

Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates
за авторством: Soresi Stefano, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Kerr nonlinearity and group velocity dispersion of InGaAs/InP and GaAsSb/InP waveguides in the mid-infrared
за авторством: Kevin Zhang, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
за авторством: Thi Kim Oanh Vu, та інші
Опубліковано: (2022-07-01)

The electrical and optical characterization of the InGaAs/InP alloy system
за авторством: Towe, Elias D
Опубліковано: (2005)

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管
за авторством: 李平, та інші
Опубліковано: (1986-01-01)

Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array
за авторством: Wei He, та інші
Опубліковано: (2020-06-01)

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs with pseudomorphic Schottky barriers
за авторством: Lee, Kenneth Sunghwan
Опубліковано: (2007)

Dynamics of the kink effect in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
за авторством: Ernst, Alexander N. (Alexander Nicolai)
Опубліковано: (2008)

Design Criteria for InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode
за авторством: Fabio Acerbi, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

Design and Investigation of InGaAs/InP/InAlAs MOSFET With Optimized Switching Efficiency
за авторством: Swastik Kumar Sahu, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

High-Efficiency and High-Power Multijunction InGaAs/InP Photovoltaic Laser Power Converters for 1470 nm
за авторством: Simon Fafard, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
за авторством: Lloyd-Hughes, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Active Area Uniformity of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes
за авторством: A. Tosi, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
за авторством: Qiugui Zhou, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

InP/InGaAs/AlGaAs quantum-well semiconductor laser with an InP based 1550 nm n-GaAsSb single waveguide structure
за авторством: Zhian Ning, та інші
Опубліковано: (2023-07-01)

Surface roughness anisotopy on mismatched InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
за авторством: Sinn, Matthew T. (Matthew Thomas)
Опубліковано: (2005)

Fabrication and characterization of InP/InGaAs Metamorphic heterojunction bipolar transistors (HBTs)
за авторством: Yang, Hong
Опубліковано: (2008)

Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
за авторством: الهام كاضم أونيس
Опубліковано: (2009-12-01)

用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究
за авторством: 刘涛, та інші
Опубліковано: (1995-01-01)

多层梯度层InGaAs（P）／InP　SAGM雪崩光电二极管
за авторством: 李平, та інші
Опубліковано: (1994-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量
за авторством: 丁国庆
Опубліковано: (1989-01-01)

TCAD Simulation Study of ESD Behavior of InGaAs/InP Heterojunction Tunnel FETs
за авторством: Zhihua Zhu, та інші
Опубліковано: (2020-11-01)

The Study of Deep Level Traps and Their Influence on Current Characteristics of InP/InGaAs Heterostructures
за авторством: Xiaohong Zhao, та інші
Опубліковано: (2019-08-01)

Room temperature continuous frequency tuning InGaAs/InP single-photon detector
за авторством: Huan Chen, та інші
Опубліковано: (2018-07-01)

Molecular beam epitaxial growth and charcterization of mismatched InGaAs and InAlAs layers on InP
за авторством: Bennett, Brian R. (Brian Robert)
Опубліковано: (2006)

GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化
за авторством: 丁国庆, та інші
Опубліковано: (1984-01-01)

Investigation of InGaAsP-based solar cells for double-junction photovoltaic devices
за авторством: Emziane, A, та інші
Опубліковано: (2008)

Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.
за авторством: Hiskett, P, та інші
Опубліковано: (2000)

Characteristics of InAlAs/InGaAs heterostructures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
за авторством: Miao, Yubo.
Опубліковано: (2009)

MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
за авторством: Singh, Nandan, та інші
Опубліковано: (2016)

Compact InGaAs/InP Single-Photon Detector Module with Ultra-Narrowband Interference Circuits
за авторством: Zhengyu Yan, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性
за авторством: 李平
Опубліковано: (1990-01-01)

Gate-Free InGaAs/InP Single-Photon Detector Working at Up to 100 Mcount/s
за авторством: Alberto Tosi, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性
за авторством: 丁国庆
Опубліковано: (1990-01-01)

A magneto-optical study of interdiffusion in InGaAs/InP quantum wells: Effects of heat treatment, substrates, and dopants
за авторством: Wong, S, та інші
Опубліковано: (1996)