Composition and its impact on shape evolution in dislocated Ge(Si)/Si islands
The composition distribution of Ge(Si)/Si (001) islands grown at 700°C by molecular beam epitaxy is investigated using high-spatial resolution x-ray energy dispersive spectrometry in a scanning transmission electron microscope. Island shapes are investigated using cross-section transmission electron...
Ամբողջական նկարագրություն
Մատենագիտական մանրամասներ
| Հիմնական հեղինակներ: |
Liao, X,
Zou, J,
Cockayne, D,
Jiang, Z,
Wang, X,
Leon, R |
|---|
| Ձևաչափ: | Journal article
|
|---|
| Լեզու: | English |
|---|
| Հրապարակվել է: |
2000
|
|---|