A STUDY OF THE CONDUCTION-BAND NONPARABOLICITY, ANISOTROPY AND SPIN SPLITTING IN GAAS AND INP

A STUDY OF THE CONDUCTION-BAND NONPARABOLICITY, ANISOTROPY AND SPIN SPLITTING IN GAAS AND INP

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Hopkins, M, Nicholas, R, Pfeffer, P, Zawadzki, W, Gauthier, D, Portal, J, Difortepoisson, M
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	1987

Những quyển sách tương tự

CYCLOTRON-RESONANCE STUDY OF NONPARABOLICITY AND SCREENING IN GAAS-GA1-XALXAS HETEROJUNCTIONS
Bằng: Hopkins, M, et al.
Được phát hành: (1987)

Impact of Band Nonparabolicity on Threshold Voltage of Nanoscale SOI MOSFET
Bằng: Yasuhisa Omura
Được phát hành: (2016-01-01)

Emerging 2D Materials with Nonparabolic Bands for Ultrafast Photonics
Bằng: Guanyu Liu, et al.
Được phát hành: (2023-10-01)

THE K.P INTERACTION IN INP AND GAAS FROM THE BAND-GAP DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE MASS
Bằng: Shantharama, L, et al.
Được phát hành: (1984)

VALENCE BAND SPIN SPLITTING IN STRAINED IN0.18GA0.82AS/GAAS QUANTUM-WELLS
Bằng: Warburton, R, et al.
Được phát hành: (1991)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE IN GAINAS-INP AND GAINAS-ALINAS HETEROJUNCTIONS AND SUPERLATTICES
Bằng: Portal, J, et al.
Được phát hành: (1984)

SUPERLATTICE MODIFICATION OF THE VALENCE-BAND SPIN SPLITTING IN INXGA1-XAS/GAAS SUPERLATTICES UP TO 45-T
Bằng: Warburton, R, et al.
Được phát hành: (1993)

PRESSURE-INDUCED CHANGES IN THE EFFECTIVE MASS OF ELECTRONS IN GAAS, INP AND (GAIN)(ASP)/INP
Bằng: Adams, A, et al.
Được phát hành: (1986)

High-quality InP on GaAs
Bằng: Quitoriano, Nathaniel Joseph
Được phát hành: (2007)

Resolving the spin splitting in the conduction band of monolayer MoS2
Bằng: Kolyo Marinov, et al.
Được phát hành: (2017-12-01)

Quadrupolar and anisotropy effects on dephasing in two-electron spin qubits in GaAs
Bằng: Tim Botzem, et al.
Được phát hành: (2016-04-01)

Materials aspects of GaAs and InP based structures /
Bằng: 406493 Swanminathan, V., et al.
Được phát hành: (1991)

Anisotropy of spin–orbit induced electron spin relaxation in [001] and [111] grown GaAs quantum dots
Bằng: C Segarra, et al.
Được phát hành: (2015-01-01)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Jackson, H, et al.
Được phát hành: (2008)

PRESSURE-DEPENDENCE STUDY OF THE EFFECTIVE MASS IN GA0.47IN0.53AS/INP HETEROJUNCTIONS
Bằng: Gauthier, D, et al.
Được phát hành: (1988)

Inter-band magneto-absorption in a Ga0.3In0.7As-InP strained layer superlattice
Bằng: Rogers, D, et al.
Được phát hành: (1986)

Electric field dependence of the spin relaxation anisotropy in (111) GaAs/AlGaAs quantum wells
Bằng: A Balocchi, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

Resonant LO phonon enhanced conductivity in GaAs-AlAs superlattices
Bằng: Dalton, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Growth, fabrication and characterisation of GaAs and InP-based HEMT structures
Bằng: Zheng, Hai Qun.
Được phát hành: (2009)

Rydberg series of dark excitons and the conduction band spin-orbit splitting in monolayer WSe2
Bằng: Piotr Kapuściński, et al.
Được phát hành: (2021-08-01)

MAGNETOTRANSPORT IN GAINAS-INP HETEROJUNCTIONS AND SUPER-LATTICES
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1983)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2013)

Spin-splitting surface states of strained GaAs(001) and spontaneous spin current from breaking of twofold symmetry
Bằng: Tomonori Iijima
Được phát hành: (2015-01-01)

Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well
Bằng: Zhang Xiuwen, et al.
Được phát hành: (2011-01-01)

TRANSITIONS TO CONFINED STATES OF THE SPLIT-OFF BAND IN GAAS-(AL,GA) AS MULTIPLE-QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURES
Bằng: Duggan, G, et al.
Được phát hành: (1987)

Spin-momentum locking as a source of spin-splitting anisotropy in inverted HgTe quantum wells
Bằng: Maciej Kubisa, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Direct Growth of High-Quality InP Layers on GaAs Substrates by MOCVD
Bằng: K. F. Yarn, et al.
Được phát hành: (2003-01-01)

Nonparabolic effects in multiple quantum well structures and influence of external magnetic field on dipole matrix elements
Bằng: Aleksandar Demić, et al.
Được phát hành: (2015-12-01)

Band splitting with vanishing spin polarizations in noncentrosymmetric crystals
Bằng: Kai Liu, et al.
Được phát hành: (2019-11-01)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE IN GAINAS-INP SUPER-LATTICES
Bằng: Brummell, M, et al.
Được phát hành: (1983)

THERMOELECTRIC-POWER OF GAAS-GAA1AS HETEROSTRUCTURES IN HIGH MAGNETIC-FIELDS
Bằng: Vuong, T, et al.
Được phát hành: (1986)

Growth and characterization of carbon doped GaAs- and InP- based heterojunction bipolar transistors
Bằng: Zhang, Rong
Được phát hành: (2008)

The influence of the physicochemical nature of the components of the V2O5/GaAs, MnO2/GaAs, V2O5/InP, MnO2/InP, TiO2/InP, and SnO2/InP heterostructures and the oxidation conditions on the surface morphology of the synthesised films
Bằng: Anastasia S. Kovaleva, et al.
Được phát hành: (2022-03-01)

ANISOTROPY OF THE FERMI-SURFACE IN GAAS-GAALAS HETEROJUNCTIONS DUE TO PARALLEL MAGNETIC-FIELDS
Bằng: Leadley, D, et al.
Được phát hành: (1990)

Achieving giant spin-orbit splitting in conduction band of monolayer WS2 via n-p co-doping
Bằng: Shaoqiang Guo, et al.
Được phát hành: (2019-07-01)

Unconventional quantum oscillations and evidence of nonparabolic electronic states in quasi-two-dimensional electron system at complex oxide interfaces
Bằng: Km Rubi, et al.
Được phát hành: (2024-12-01)

STRUCTURE INDUCED MAGNETIC-ANISOTROPY BEHAVIOR IN CO/GAAS(001) FILMS
Bằng: Blundell, S, et al.
Được phát hành: (1993)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPHONON RESONANCE .1. GAINAS-INP SUPER-LATTICES
Bằng: Portal, J, et al.
Được phát hành: (1983)

HIGH-FIELD MAGNETO-TRANSPORT MEASUREMENTS IN GAAS-GAALAS MULTILAYERS
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1982)

QUANTUM OSCILLATIONS AT A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROJUNCTION INTERFACE
Bằng: Nicholas, R, et al.
Được phát hành: (1982)