Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties

A novel dislocation locking technique is used to study the behaviour of nitrogen in float-zone silicon (FZ-Si). Specimens containing well-defined arrays of dislocation half-loops are subjected to isothermal anneals of controlled duration, during which nitrogen diffuses to the dislocations. The stres...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Murphy, J, Alpass, C, Giannattasio, A, Senkader, S, Emiroglu, D, Evans-Freeman, J, Falster, R, Wilshaw, P
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2006

Podobné jednotky

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2007)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2005)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2005)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2004)

Impurity locking of dislocations in silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2002)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2004)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2002)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
Autor: Giannattasio, A, a další
Vydáno: (2003)

The properties of nitrogen in silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2008)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Autor: Alpass, C, a další
Vydáno: (2008)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (1999)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2002)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2001)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Autor: Jurkschat, K, a další
Vydáno: (2001)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2004)

High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon
Autor: Evans-Freeman, J, a další
Vydáno: (2005)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
Autor: Fraser, K, a další
Vydáno: (2007)

'Semi-insulating' silicon using deep level impurity doping: problems and potential
Autor: Mallik, K, a další
Vydáno: (2003)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
Autor: Stowe, D, a další
Vydáno: (2005)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
Autor: Senkader, S, a další
Vydáno: (2000)

The properties of nitrogen and oxygen in silicon
Autor: Murphy, J, a další
Vydáno: (2006)