Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties

A novel dislocation locking technique is used to study the behaviour of nitrogen in float-zone silicon (FZ-Si). Specimens containing well-defined arrays of dislocation half-loops are subjected to isothermal anneals of controlled duration, during which nitrogen diffuses to the dislocations. The stres...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Murphy, J, Alpass, C, Giannattasio, A, Senkader, S, Emiroglu, D, Evans-Freeman, J, Falster, R, Wilshaw, P
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2006

Những quyển sách tương tự

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2007)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2003)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2004)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2002)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2002)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2003)

The properties of nitrogen in silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2008)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2008)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2002)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Bằng: Jurkschat, K, et al.
Được phát hành: (2001)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2004)

High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon
Bằng: Evans-Freeman, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2007)

'Semi-insulating' silicon using deep level impurity doping: problems and potential
Bằng: Mallik, K, et al.
Được phát hành: (2003)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2005)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2000)

The properties of nitrogen and oxygen in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)