Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots

Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots

We present studies of the optical transitions in InGaN quantum dots (QDs). Spatially-resolved micro-photoluminescence (mu-PL) of single InGaN QDs reveals very sharp, clearly-defined peaks that are characteristic of strongly-confined carriers. Time-resolved measurements for single InGaN QDs reveal si...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Robinson, J, Rice, J, Jarjour, A, Smith, J, Taylor, R, Oliver, R, Briggs, G, Kappers, M, Humphreys, C, Yasin, S, Arakawa, Y
Médium:	Conference item
Vydáno:	2004

Podobné jednotky

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2003)

Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2005)

Photoluminescence studies of exciton recombination and dephasing in single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Dynamics of single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2004)

InGaN quantum dots grown by MOVPE via a droplet epitaxy route
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2008)

Optical studies of non-linear absorption in single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2006)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

InGaN quantum dots grown by metalorganic vapor phase epitaxy employing a post-growth nitrogen anneal
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

Simulation of the quantum-confined stark effect in a single InGaN quantum dot
Autor: Lee, K, a další
Vydáno: (2004)

Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Time-integrated and time-resolved optical studies of InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2005)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Growth and assessment of InGaN quantum dots in a microcavity: A blue single photon source
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2008)

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2005)

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2005)

Experimental and theoretical study of the quantum-confined Stark effect in a single InGaN/GaN quantum dot under applied vertical electric field
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2008)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Biexciton and exciton dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2005)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2005)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2003)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2003)

Origins of Spectral Diffusion in the Micro-Photoluminescence of Single InGaN Quantum Dots
Autor: Reid, B, a další
Vydáno: (2013)

The influence of ammonia on the growth mode in InGaN/GaN heteroepitaxy
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Growth and optical characterisation of multilayers of InGaN quantum dots
Autor: Zhu, T, a další
Vydáno: (2012)

TIME-RESOLVED EXCITON PHOTOLUMINESCENCE IN GaSe AND GaTe.
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (1987)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
Autor: Martin, R, a další
Vydáno: (2005)

Sub-wavelength Al mask apertures for addressing individual InGaN quantum dots
Autor: Yasin, S, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved and time-integrated photoluminescence studies of coupled asymmetric GaN quantum discs embedded in AlGaN barriers
Autor: Na, J, a další
Vydáno: (2005)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQW structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2005)

Two-photon absorption in single site-controlled InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2005)

InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks
Autor: El-Ella, H, a další
Vydáno: (2011)