TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
Հիմնական հեղինակներ: | Symons, D, Lakrimi, M, Vanderburgt, M, Vaughan, T, Nicholas, R, Mason, N, Walker, P |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
1995
|
Նմանատիպ նյութեր
-
ORIENTATION AND PRESSURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
: Symons, D, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
: Daly, MS, և այլն
Հրապարակվել է: (1996) -
Interface composition dependence of the band offset in InAs/GaSb
: Daly, MS, և այլն
Հրապարակվել է: (1996) -
GROWTH OF INAS/GASB STRAINED-LAYER SUPERLATTICES .1.
: Booker, G, և այլն
Հրապարակվել է: (1994) -
ONE-DIMENSIONAL TRANSPORT AND GATING OF INAS/GASB STRUCTURES
: Chen, Y, և այլն
Հրապարակվել է: (1994)