Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents

Cryogenic rds(on) of a GaN power transistor at high currents

The dramatic reduction in the on-state resistance of Gallium Nitride (GaN) HEMTs at cryogenic temperatures can be exploited to reduce conduction losses in power converters. In this paper, we present a low-cost and easily implementable methodology for the characterisation of the on-state resistance o...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Bruford, J, Rogers, DJ, Rodriguez, T
פורמט:	Conference item
שפה:	English
יצא לאור:	IEEE 2023

פריטים דומים

GaN transistors for efficient power conversion /
מאת: Lidow, Alex, author, et al.
יצא לאור: ([201)

GaN Transistors for Efficient Power Conversion /
מאת: Lidow, Alex, author, et al.
יצא לאור: (2020)

Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors
מאת: Atsushi Tanaka, et al.
יצא לאור: (2022-05-01)

Nanostructured GaN transistors
מאת: Chowdhury, Nadim, et al.
יצא לאור: (2019)

Current Collapse Phenomena Investigation in Automotive-Grade Power GaN Transistors
מאת: Alfio Basile, et al.
יצא לאור: (2023-12-01)

RF Power Degradation of GaN High Electron Mobility Transistors
מאת: Joh, Jungwoo, et al.
יצא לאור: (2012)

Author Correction: Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors
מאת: Atsushi Tanaka, et al.
יצא לאור: (2022-05-01)

Structural Optimization of p-GaN Gate GaN-Based High Electron Mobility Transistors
מאת: GE Mei;, et al.
יצא לאור: (2021-06-01)

Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
מאת: C. De Santi, et al.
יצא לאור: (2021-01-01)

p-GaN Platform for Next-Generation GaN Complementary Transistors and Circuits
מאת: Xie, Qingyun
יצא לאור: (2024)

Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability
מאת: Philipp Doering, et al.
יצא לאור: (2021-02-01)

Performance of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors for High-Frequency and High-Power Electronics
מאת: Peter Kordos, et al.
יצא לאור: (2005-01-01)

Current Understanding of Bias-Temperature Instabilities in GaN MIS Transistors for Power Switching Applications
מאת: Milan Ťapajna
יצא לאור: (2020-12-01)

Degradation mechanisms of GaN high electron mobility transistors
מאת: Joh, Jungwoo
יצא לאור: (2007)

Fabrication of graphene-on-GaN vertical transistors
מאת: Zubair, Ahmad, Ph.D. Massachusetts Institute of Technology
יצא לאור: (2015)

Impact of carbon impurities on the initial leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
מאת: Sasangka, W.A., et al.
יצא לאור: (2019)

Impact of carbon impurities on the initial leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
מאת: Gao, Yu, et al.
יצא לאור: (2019)

Studies of Gallium Nitride Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) and GaN Metal-Insulator-Semiconductor (GaN MISHEMT)
מאת: Lau, Sien Hui
יצא לאור: (2020)

Design-space and scalable technology for GaN based power transistors
מאת: Piedra, Daniel, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology
יצא לאור: (2018)

Capacitance Temperature Dependence Analysis of GaN-on-Si Power Transistors
מאת: Florian Rigaud-Minet, et al.
יצא לאור: (2022-09-01)

High-resistivity nitrogen-polar GaN for GaN/AlGaN high electron mobility transistors by metalorganic chemical vapor deposition
מאת: Yang Wang, et al.
יצא לאור: (2021-11-01)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts
מאת: Wojciech Wojtasiak, et al.
יצא לאור: (2018-10-01)

Leakage current in GaN-on-GaN vertical GaN SBDs grown by HVPE on native GaN substrates
מאת: Weiyi Jin, et al.
יצא לאור: (2024-09-01)

Improvement Performance of p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors with GaN/AlN/AlGaN Barrier Structure
מאת: An-Chen Liu, et al.
יצא לאור: (2024-04-01)

Schottky-Drain Technology for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors
מאת: Lu, Bin, et al.
יצא לאור: (2012)

Studies of traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon
מאת: Anand Mulagumoottil Jesudas
יצא לאור: (2016)

Effects of Threading Dislocations on AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors
מאת: Marino, Fabio Alessio, et al.
יצא לאור: (2011)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
מאת: Sun, Xiaowei, et al.
יצא לאור: (2013)

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Amplifier for High-Temperature Operation
מאת: Pingyu Cao, et al.
יצא לאור: (2024-01-01)

Degradation of vertical GaN-on-GaN fin transistors: Step-stress and constant voltage experiments
מאת: Ruzzarin, M., et al.
יצא לאור: (2019)

Pulsed current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility-transistors on HR-Si substrate
מאת: Lee, Wei Yi.
יצא לאור: (2009)

Degradation of GaN High Electron Mobility Transistors under high-power and high-temperature stress
מאת: Wu, Yufei, Ph. D. Massachusetts Institute of Technology. Department of Electrical Engineering and Computer Science.
יצא לאור: (2014)

Investigation of gate leakage current mechanism in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with sputtered TiN
מאת: Li, Yang, et al.
יצא לאור: (2017)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
מאת: Zhang, Zi-Hui, et al.
יצא לאור: (2013)

Electric field dependence of optical phonon frequencies in wurtzite GaN observed in GaN high electron mobility transistors
מאת: Dreyer, Cyrus E., et al.
יצא לאור: (2017)

Degradation study of GaN-based high electron mobility transistors
מאת: Lius, Melina Novalia Jontera
יצא לאור: (2023)

Measurement of Channel Temperature in GaN High-Electron Mobility Transistors
מאת: Joh, Jungwoo, et al.
יצא לאור: (2010)

Dynamic ON-resistance in high voltage GaN field-effect-transistors
מאת: Jin, Donghyun
יצא לאור: (2014)

Reliability of GaN high electron mobility transistors on silicon substrates
מאת: Demirtas, Sefa
יצא לאור: (2010)

Electric field engineering in GaN high electron mobility transistors
מאת: Zhao, Xu, S.M. Massachusetts Institute of Technology
יצא לאור: (2008)