Controlled removal of amorphous Se capping layer from a topological insulator
© 2014 AIP Publishing LLC. We report on the controlled removal of an amorphous Se capping layer from Bi2Te3 and Bi2Se3 topological insulators. We show that the Se coalesces into micron-sized islands before desorbing from the surface at a temperature of ∼150°C. In situ Auger Electron Spectroscopy rev...
প্রধান লেখক: | Virwani, K, Harrison, SE, Pushp, A, Topuria, T, Delenia, E, Rice, P, Kellock, A, Collins-McIntyre, L, Harris, J, Hesjedal, T, Parkin, S |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
প্রকাশিত: |
2014
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Study of Ho-doped Bi2Te3 topological insulator thin films
অনুযায়ী: Harrison, SE, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015) -
Massive Dirac fermion observed in lanthanide-doped topological insulator thin films
অনুযায়ী: Harrison, SE, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015) -
Transition-metal doped Bi2Se3 and Bi2Te3 topological insulator thin films
অনুযায়ী: Collins-McIntyre, L, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015) -
Magnetic ordering in Ho-doped Bi2Te3 topological insulator thin films
অনুযায়ী: Figueroa, A, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2016) -
Preparation of layered thin film samples for angle-resolved photoemission spectroscopy
অনুযায়ী: Harrison, SE, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)