Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Παραπομπή σε μορφή Chicago (17η εκδ.)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, και R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Παραπομπή σε μορφή MLA (9th εκδ.)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Πρόσοχή: Οι παραπομπές μπορεί να μην είναι 100% ακριβείς.