Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Чикаго-гийн эшлэл (17 дахь хэвлэлт)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, ба R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
MLA -ийн эшлэл (9 дэх хэвлэлт)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Анхааруулга: Эдгээр ишлэлүүд үргэлж 100% үнэн зөв биш байж магадгүй.