Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, та R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.