Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, و R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.