Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
শিকাগো স্টাইল (17 তম সংস্করণ) উদ্ধৃতিMurphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, এবং R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
M.L.A (9 ম সংস্করণ) উদ্ধৃতিMurphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
সতর্কবাণী: সাইটেশন সবসময় 100% নির্ভুল হতে পারে না.