Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Citace podle Chicago (17th ed.)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, a R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Citace podle MLA (9th ed.)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..