Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, und R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.