Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, i R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..