Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, и R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Цитирование MLA (9-е изд.)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.