Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Chicago-referens (17:e uppl.)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, och R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
MLA-referens (9:e uppl.)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Varning: dessa hänvisningar är inte alltid fullständigt riktiga.