Murphy, J., Bothe, K., Voronkov, V., & Falster, R. (2013). On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Murphy, J., K. Bothe, V. Voronkov, và R. Falster. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Murphy, J., et al. On the Mechanism of Recombination at Oxide Precipitates in Silicon. 2013.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.