On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

Oxide precipitates are well known to degrade minority carrier lifetime in silicon, but the mechanism by which they act as recombination centres is not fully understood. We report minority carrier lifetime measurements on oxide precipitate-containing silicon which has been intentionally contaminated...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Murphy, J, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	2013

Схожі ресурси

Recombination at oxide precipitates in silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2011)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2012)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2014)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2014)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
за авторством: Bothe, K, та інші
Опубліковано: (2012)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
за авторством: Lang, V, та інші
Опубліковано: (2012)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
за авторством: Jurkschat, K, та інші
Опубліковано: (2001)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1991)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2011)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2012)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
за авторством: Decoteau, M, та інші
Опубліковано: (1990)

GETTERING IN SILICON
за авторством: Falster, R
Опубліковано: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2009)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2006)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
за авторством: Fraser, K, та інші
Опубліковано: (2009)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
за авторством: Murphy, J, та інші
Опубліковано: (2005)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
за авторством: Fraser, K, та інші
Опубліковано: (2008)

Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk and surface contributions
за авторством: Enrichetta Susi
Опубліковано: (1999-01-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (1999)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
за авторством: Giannattasio, A, та інші
Опубліковано: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
за авторством: Alpass, C, та інші
Опубліковано: (2007)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
за авторством: Senkader, S, та інші
Опубліковано: (2001)