On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon

Oxide precipitates are well known to degrade minority carrier lifetime in silicon, but the mechanism by which they act as recombination centres is not fully understood. We report minority carrier lifetime measurements on oxide precipitate-containing silicon which has been intentionally contaminated...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Murphy, J, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2013

Những quyển sách tương tự

Recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2014)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
Bằng: Bothe, K, et al.
Được phát hành: (2012)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Bằng: Lang, V, et al.
Được phát hành: (2012)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Bằng: Jurkschat, K, et al.
Được phát hành: (2001)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1990)

GETTERING IN SILICON
Bằng: Falster, R
Được phát hành: (1989)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2009)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2008)

Recombination mechanisms in crystalline silicon: bulk and surface contributions
Bằng: Enrichetta Susi
Được phát hành: (1999-01-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2007)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)