Atomically flat zigzag edges in monolayer MoS2 by thermal annealing

Atomically flat zigzag edges in monolayer MoS2 by thermal annealing

The edges of 2D materials show novel electronic, magnetic, and optical properties, especially when reduced to nanoribbon widths. Therefore, methods to create atomically flat edges in 2D materials are essential for future exploitation. Atomically flat edges in 2D materials are found after brittle fra...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Chen, Q, Li, H, Xu, W, Wang, S, Sawada, H, Allen, C, Kirkland, A, Grossman, J, Warner, J
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	American Chemical Society 2017

Схожі ресурси

Atomic structure and dynamics of single platinum atom interactions with monolayer MoS2
за авторством: Li, H, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomic structure and formation mechanism of sub-nanometer pores in 2D monolayer MoS2.
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomic Structure and Dynamics of Single Platinum Atom Interactions with Monolayer MoS
за авторством: Wang, Shanshan, та інші
Опубліковано: (2018)

Ultralong 1D vacancy channels for rapid atomic migration during 2D void formation in monolayer MoS2
за авторством: Chen, Q, та інші
Опубліковано: (2018)

Atomic Structure and Spectroscopy of Single Metal (Cr, V) Substitutional Dopants in Monolayer MoS2
за авторством: Robertson, A, та інші
Опубліковано: (2016)

Ultralong 1D Vacancy Channels for Rapid Atomic Migration during 2D Void Formation in Monolayer MoS 2
за авторством: Chen, Qu, та інші
Опубліковано: (2021)

Ultralong 1D Vacancy Channels for Rapid Atomic Migration during 2D Void Formation in Monolayer MoS 2
за авторством: Chen, Qu, та інші
Опубліковано: (2022)

In situ high temperature atomic level dynamics of large inversion domain formations in monolayer MoS2
за авторством: Chen, J, та інші
Опубліковано: (2019)

Preferential Pt nanocluster seeding at grain boundary dislocations in polycrystalline monolayer MoS2
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2018)

Detailed Atomic Reconstruction of Extended Line Defects in Monolayer MoS2.
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2016)

Photoluminescent arrays of nanopatterned monolayer MoS2
за авторством: Han, G, та інші
Опубліковано: (2017)

Evidence of hexagonal germanium grains on annealed monolayer MoS2
за авторством: Xuejing Wang, та інші
Опубліковано: (2023-08-01)

Orientation dependent interlayer stacking structure in bilayer MoS2 domains
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2017)

An experimental and theoretical study on nanomachining forces along zigzag and armchair lattice orientations of monolayer MoS2
за авторством: Meng Li, та інші
Опубліковано: (2020-01-01)

MoS2 monolayer catalyst doped with isolated Co atoms for the hydrodeoxygenation reaction
за авторством: Liu, G, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomically sharp crack tips in monolayer MoS2 and their enhanced toughness by vacancy defects.
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2016)

Temperature dependence of the reconstruction of zigzag edges in graphene.
за авторством: He, K, та інші
Опубліковано: (2015)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS2 secondary layers
за авторством: Zhou, S, та інші
Опубліковано: (2018)

Experimental study and modeling of atomic-scale friction in zigzag and armchair lattice orientations of MoS2
за авторством: Meng Li, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Atomic structure and dynamics of defects in 2D MoS2 bilayers
за авторством: Zhou, S, та інші
Опубліковано: (2017)

In situ atomic-scale studies of the formation of epitaxial Pt nanocrystals on monolayer molybdenum disulfide
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2017)

Atomic Structure and Dynamics of Defects in 2D MoS
за авторством: Zhou, Si, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal degradation of monolayer MoS2 on SrTiO3 supports
за авторством: Chen, P, та інші
Опубліковано: (2019)

Nanoporous Silicon-Assisted Patterning of Monolayer MoS 2 with Thermally Controlled Porosity: A Scalable Method for Diverse Applications
за авторством: Han, Grace, та інші
Опубліковано: (2022)

Nanoporous Silicon-Assisted Patterning of Monolayer MoS 2 with Thermally Controlled Porosity: A Scalable Method for Diverse Applications
за авторством: Han, Grace GD, та інші
Опубліковано: (2021)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS 2 secondary layers
за авторством: Zhou, Si, та інші
Опубліковано: (2021)

Evolution of defect formation during atomically precise desulfurization of monolayer MoS2
за авторством: Jong-Young Lee, та інші
Опубліковано: (2021-07-01)

Transition metal atom–doped monolayer MoS2 in a proton-exchange membrane electrolyzer
за авторством: J. Mo, та інші
Опубліковано: (2020-06-01)

The origin of edge-enhanced second harmonic generation in monolayer MoS2 flakes
за авторством: Man-Hong Lai, та інші
Опубліковано: (2022-10-01)

Shape Evolution of Monolayer MoS2 Crystals Grown by Chemical Vapor Deposition
за авторством: Wang, S, та інші
Опубліковано: (2014)

Atomic Structure and Dynamics of Defects in 2D MoS2 Bilayers
за авторством: Si Zhou, та інші
Опубліковано: (2017-07-01)

Nanoindentation on Monolayer MoS2 Kirigami
за авторством: Beibei Wang, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

Layer-by-layer thinning of MoS2 by thermal annealing
за авторством: Lu, Xin, та інші
Опубліковано: (2014)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS<sub>2</sub> secondary layers
за авторством: Zhou, Si, та інші
Опубліковано: (2022)

Transition metal atom–doped monolayer MoS2 in a proton-exchange membrane electrolyzer
за авторством: Mo, J, та інші
Опубліковано: (2020)

Giant edge state splitting at atomically precise graphene zigzag edges
за авторством: Shiyong Wang, та інші
Опубліковано: (2016-05-01)

Passivating the sulfur vacancy in monolayer MoS2
за авторством: Haichang Lu, та інші
Опубліковано: (2018-06-01)

Probing the edge-related properties of atomically thin MoS2 at nanoscale
за авторством: Teng-Xiang Huang, та інші
Опубліковано: (2019-12-01)

Thermal conductivity of MoS2 monolayers from molecular dynamics simulations
за авторством: Aravind Krishnamoorthy, та інші
Опубліковано: (2019-03-01)

Transition metal atom doping of the basal plane of MoS2 monolayer nanosheets for electrochemical hydrogen evolution
за авторством: Lau, T, та інші
Опубліковано: (2018)