Atomically flat zigzag edges in monolayer MoS2 by thermal annealing

Atomically flat zigzag edges in monolayer MoS2 by thermal annealing

The edges of 2D materials show novel electronic, magnetic, and optical properties, especially when reduced to nanoribbon widths. Therefore, methods to create atomically flat edges in 2D materials are essential for future exploitation. Atomically flat edges in 2D materials are found after brittle fra...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chen, Q, Li, H, Xu, W, Wang, S, Sawada, H, Allen, C, Kirkland, A, Grossman, J, Warner, J
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	American Chemical Society 2017

Những quyển sách tương tự

Atomic structure and dynamics of single platinum atom interactions with monolayer MoS2
Bằng: Li, H, et al.
Được phát hành: (2017)

Atomic structure and formation mechanism of sub-nanometer pores in 2D monolayer MoS2.
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2017)

Atomic Structure and Dynamics of Single Platinum Atom Interactions with Monolayer MoS
Bằng: Wang, Shanshan, et al.
Được phát hành: (2018)

Ultralong 1D vacancy channels for rapid atomic migration during 2D void formation in monolayer MoS2
Bằng: Chen, Q, et al.
Được phát hành: (2018)

Atomic Structure and Spectroscopy of Single Metal (Cr, V) Substitutional Dopants in Monolayer MoS2
Bằng: Robertson, A, et al.
Được phát hành: (2016)

Ultralong 1D Vacancy Channels for Rapid Atomic Migration during 2D Void Formation in Monolayer MoS 2
Bằng: Chen, Qu, et al.
Được phát hành: (2021)

Ultralong 1D Vacancy Channels for Rapid Atomic Migration during 2D Void Formation in Monolayer MoS 2
Bằng: Chen, Qu, et al.
Được phát hành: (2022)

In situ high temperature atomic level dynamics of large inversion domain formations in monolayer MoS2
Bằng: Chen, J, et al.
Được phát hành: (2019)

Preferential Pt nanocluster seeding at grain boundary dislocations in polycrystalline monolayer MoS2
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2018)

Detailed Atomic Reconstruction of Extended Line Defects in Monolayer MoS2.
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2016)

Photoluminescent arrays of nanopatterned monolayer MoS2
Bằng: Han, G, et al.
Được phát hành: (2017)

Evidence of hexagonal germanium grains on annealed monolayer MoS2
Bằng: Xuejing Wang, et al.
Được phát hành: (2023-08-01)

Orientation dependent interlayer stacking structure in bilayer MoS2 domains
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2017)

An experimental and theoretical study on nanomachining forces along zigzag and armchair lattice orientations of monolayer MoS2
Bằng: Meng Li, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)

MoS2 monolayer catalyst doped with isolated Co atoms for the hydrodeoxygenation reaction
Bằng: Liu, G, et al.
Được phát hành: (2017)

Atomically sharp crack tips in monolayer MoS2 and their enhanced toughness by vacancy defects.
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2016)

Temperature dependence of the reconstruction of zigzag edges in graphene.
Bằng: He, K, et al.
Được phát hành: (2015)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS2 secondary layers
Bằng: Zhou, S, et al.
Được phát hành: (2018)

Experimental study and modeling of atomic-scale friction in zigzag and armchair lattice orientations of MoS2
Bằng: Meng Li, et al.
Được phát hành: (2016-01-01)

Atomic structure and dynamics of defects in 2D MoS2 bilayers
Bằng: Zhou, S, et al.
Được phát hành: (2017)

In situ atomic-scale studies of the formation of epitaxial Pt nanocrystals on monolayer molybdenum disulfide
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2017)

Atomic Structure and Dynamics of Defects in 2D MoS
Bằng: Zhou, Si, et al.
Được phát hành: (2017)

Thermal degradation of monolayer MoS2 on SrTiO3 supports
Bằng: Chen, P, et al.
Được phát hành: (2019)

Nanoporous Silicon-Assisted Patterning of Monolayer MoS 2 with Thermally Controlled Porosity: A Scalable Method for Diverse Applications
Bằng: Han, Grace, et al.
Được phát hành: (2022)

Nanoporous Silicon-Assisted Patterning of Monolayer MoS 2 with Thermally Controlled Porosity: A Scalable Method for Diverse Applications
Bằng: Han, Grace GD, et al.
Được phát hành: (2021)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS 2 secondary layers
Bằng: Zhou, Si, et al.
Được phát hành: (2021)

Evolution of defect formation during atomically precise desulfurization of monolayer MoS2
Bằng: Jong-Young Lee, et al.
Được phát hành: (2021-07-01)

Transition metal atom–doped monolayer MoS2 in a proton-exchange membrane electrolyzer
Bằng: J. Mo, et al.
Được phát hành: (2020-06-01)

The origin of edge-enhanced second harmonic generation in monolayer MoS2 flakes
Bằng: Man-Hong Lai, et al.
Được phát hành: (2022-10-01)

Shape Evolution of Monolayer MoS2 Crystals Grown by Chemical Vapor Deposition
Bằng: Wang, S, et al.
Được phát hành: (2014)

Atomic Structure and Dynamics of Defects in 2D MoS2 Bilayers
Bằng: Si Zhou, et al.
Được phát hành: (2017-07-01)

Nanoindentation on Monolayer MoS2 Kirigami
Bằng: Beibei Wang, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

Layer-by-layer thinning of MoS2 by thermal annealing
Bằng: Lu, Xin, et al.
Được phát hành: (2014)

Atomically sharp interlayer stacking shifts at anti-phase grain boundaries in overlapping MoS<sub>2</sub> secondary layers
Bằng: Zhou, Si, et al.
Được phát hành: (2022)

Transition metal atom–doped monolayer MoS2 in a proton-exchange membrane electrolyzer
Bằng: Mo, J, et al.
Được phát hành: (2020)

Giant edge state splitting at atomically precise graphene zigzag edges
Bằng: Shiyong Wang, et al.
Được phát hành: (2016-05-01)

Passivating the sulfur vacancy in monolayer MoS2
Bằng: Haichang Lu, et al.
Được phát hành: (2018-06-01)

Probing the edge-related properties of atomically thin MoS2 at nanoscale
Bằng: Teng-Xiang Huang, et al.
Được phát hành: (2019-12-01)

Thermal conductivity of MoS2 monolayers from molecular dynamics simulations
Bằng: Aravind Krishnamoorthy, et al.
Được phát hành: (2019-03-01)

Transition metal atom doping of the basal plane of MoS2 monolayer nanosheets for electrochemical hydrogen evolution
Bằng: Lau, T, et al.
Được phát hành: (2018)