Role of implantation-induced defects on the response time of semiconductor saturable absorbers

Gelijkaardige items

• Ion-implanted GaAs for ultrafast saturable absorber applications
  door: Lederer, M, et al.
  Gepubliceerd in: (2000)
• The effect of proton bombardment on semiconductor saturable absorber structure
  door: Gopinath, Juliet Tara, 1976-
  Gepubliceerd in: (2005)
• {111} and {311} rod-like defects in silicon ion implanted silicon
  door: Chou, C, et al.
  Gepubliceerd in: (1996)
• {111} defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon.
  door: Chou, C, et al.
  Gepubliceerd in: (1995)
• DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
  door: Cockayne, D, et al.
  Gepubliceerd in: (1991)