High-performance WS2 monolayer light-emitting tunneling devices using 2D materials grown by chemical vapor deposition
The solid progress in the study of a single two-dimensional (2D) material underpins the development for creating 2D material assemblies with various electronic and optoelectronic properties. We introduce an asymmetric structure by stacking monolayer semiconducting tungsten disulfide, metallic graphe...
Հիմնական հեղինակներ: | Sheng, Y, Chen, T, Lu, Y, Chang, R-J, Sinha, S, Warner, JH |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
American Chemical Society
2019
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Doping graphene transistors using vertical stacked monolayer WS2 heterostructures grown by chemical vapor deposition.
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
Ultrathin 2D photodetectors utilizing chemical vapor deposition grown WS2 with graphene electrodes
: Tan, H, և այլն
Հրապարակվել է: (2016) -
Shape Evolution of Monolayer MoS2 Crystals Grown by Chemical Vapor Deposition
: Wang, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Synthesis of WS2 nanometer monolayer by the chemical vapor deposition method
: Maryam Nayeri, և այլն
Հրապարակվել է: (1379-01-01) -
Monolayer MoS2 and WS2 for Vertical Circular‐ Polarized‐Light‐Emitting Diode: from Fundamental Understanding to Device Architecture
: Gayatri Swain, և այլն
Հրապարակվել է: (2025-03-01)