NEUTRON-IRRADIATION OF SILICON DIODES AT TEMPERATURES OF +20-DEGREES-C AND -20-DEGREES-C
প্রধান লেখক: | Anghinolfi, F, Bardos, R, Bates, S, Bonino, R, Clark, A, Claussen, N, Fretwurst, E, Glaser, M, Gorfine, G, Gossling, C, Heijne, E, Jarron, P, Klingenberg, R, Lemeilleur, F, Lindstrom, G, Moorhead, G, Munday, D, Occelli, E, Pagel, H, Papendick, B, Parker, M, Pollmann, D, Poppleton, A, Rolf, A, Scampoli, P |
---|---|
বিন্যাস: | Conference item |
প্রকাশিত: |
1993
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Neutron irradiation of silicon diodes at temperatures of +20°C and -20°C
অনুযায়ী: Anghinolfi, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
THE DESIGN AND FUNCTION OF A RADIATION TOLERANT SILICON TRACKER FOR AN LHC EXPERIMENT
অনুযায়ী: Bates, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1993) -
ELECTRONICS AND READOUT OF A LARGE-AREA SILICON DETECTOR FOR LHC
অনুযায়ী: Borer, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994) -
Some examples of algebraic surfaces with canonical map of degree 20
অনুযায়ী: Bin, Nguyen
প্রকাশিত: (2021-11-01) -
DEVELOPMENTS TOWARDS A LARGE-AREA SILICON TRACKER AT LHC
অনুযায়ী: Borer, K, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1994)