NEUTRON-IRRADIATION OF SILICON DIODES AT TEMPERATURES OF +20-DEGREES-C AND -20-DEGREES-C
Автори: | Anghinolfi, F, Bardos, R, Bates, S, Bonino, R, Clark, A, Claussen, N, Fretwurst, E, Glaser, M, Gorfine, G, Gossling, C, Heijne, E, Jarron, P, Klingenberg, R, Lemeilleur, F, Lindstrom, G, Moorhead, G, Munday, D, Occelli, E, Pagel, H, Papendick, B, Parker, M, Pollmann, D, Poppleton, A, Rolf, A, Scampoli, P |
---|---|
Формат: | Conference item |
Опубліковано: |
1993
|
Схожі ресурси
-
Neutron irradiation of silicon diodes at temperatures of +20°C and -20°C
за авторством: Anghinolfi, F, та інші
Опубліковано: (1993) -
THE DESIGN AND FUNCTION OF A RADIATION TOLERANT SILICON TRACKER FOR AN LHC EXPERIMENT
за авторством: Bates, S, та інші
Опубліковано: (1993) -
ELECTRONICS AND READOUT OF A LARGE-AREA SILICON DETECTOR FOR LHC
за авторством: Borer, K, та інші
Опубліковано: (1994) -
Some examples of algebraic surfaces with canonical map of degree 20
за авторством: Bin, Nguyen
Опубліковано: (2021-11-01) -
DEVELOPMENTS TOWARDS A LARGE-AREA SILICON TRACKER AT LHC
за авторством: Borer, K, та інші
Опубліковано: (1994)