Anar al contingut
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Idioma
Tots els camps
Títol
Autor
Matèria
Signatura
ISBN/ISSN
Etiqueta
Trobar
Avançada
Strain effect in a GaAs-In0.25...
Citar
Enviar aquest missatge de text
Enviar per correu electrònic aquest
Imprimir
Exportar registre
Exportar a RefWorks
Exportar a EndNoteWeb
Exportar a EndNote
Enllaç permanent
Strain effect in a GaAs-In0.25Ga0.75As-Al0.5Ga0.5As asymmetric quantum wire
Dades bibliogràfiques
Autors principals:
Fu, Y
,
Willander, M
,
Lu, W
,
Liu, X
,
Shen, S
,
Jagadish, C
,
Gal, M
,
Zou, J
,
Cockayne, D
Format:
Journal article
Publicat:
2000
Fons
Descripció
Ítems similars
Visualització del personal
Ítems similars
Optical transition in infrared photodetector based on V-groove Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum wire
per: Fu, Y, et al.
Publicat: (2001)
Magneto-luminescence of quasi-zero dimensional In0.25Ga0.75As/GaAs quantum dots
per: Cheng, H, et al.
Publicat: (1998)
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots /
per: Yussof Wahab, author, et al.
Publicat: (2006)
Photoluminescence studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
per: Wahab, Yussof, et al.
Publicat: (2006)
Photoluminescence Studies of In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots
per: Wahab, Yussof, et al.
Publicat: (2006)