Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation-oxygen interactions in silicon have been studied experimentally and using numerical modelling. Experiments were performed to understand the locking of dislocations by oxygen and to measure the unlocking stress of dislocations in the temperature range 350-900degreesC for different anneali...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
التنسيق:	Conference item
منشور في:	Trans Tech Publications Ltd 2004

مواد مشابهة

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2002)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2005)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2001)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (1999)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2001)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2005)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2003)

Impurity locking of dislocations in silicon
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2004)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (1999)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2005)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2004)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2007)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2002)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
حسب: Senkader, S, وآخرون
منشور في: (2000)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
حسب: Giannattasio, A, وآخرون
منشور في: (2003)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
حسب: Stowe, D, وآخرون
منشور في: (2004)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
حسب: Stowe, D, وآخرون
منشور في: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
حسب: Fraser, K, وآخرون
منشور في: (2007)

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
حسب: Giannattasio, A
منشور في: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
حسب: Murphy, J, وآخرون
منشور في: (2006)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
حسب: Zeng, Z, وآخرون
منشور في: (2011)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
حسب: Stowe, D, وآخرون
منشور في: (2005)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
حسب: Jurkschat, K, وآخرون
منشور في: (2001)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
حسب: Alpass, C, وآخرون
منشور في: (2008)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
حسب: Fraser, K, وآخرون
منشور في: (2008)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
حسب: Ourmazd, A, وآخرون
منشور في: (1983)