Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation-oxygen interactions in silicon have been studied experimentally and using numerical modelling. Experiments were performed to understand the locking of dislocations by oxygen and to measure the unlocking stress of dislocations in the temperature range 350-900degreesC for different anneali...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
פורמט:	Conference item
יצא לאור:	Trans Tech Publications Ltd 2004

פריטים דומים

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2002)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2005)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2001)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (1999)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2001)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2005)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2003)

Impurity locking of dislocations in silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2004)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (1999)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2005)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2004)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2007)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2002)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2000)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2003)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
מאת: Stowe, D, et al.
יצא לאור: (2004)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
מאת: Stowe, D, et al.
יצא לאור: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2007)

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
מאת: Giannattasio, A
יצא לאור: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2006)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
מאת: Zeng, Z, et al.
יצא לאור: (2011)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
מאת: Stowe, D, et al.
יצא לאור: (2005)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
מאת: Jurkschat, K, et al.
יצא לאור: (2001)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
מאת: Alpass, C, et al.
יצא לאור: (2008)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2008)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
מאת: Ourmazd, A, et al.
יצא לאור: (1983)