Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures

Dislocation-oxygen interactions in silicon have been studied experimentally and using numerical modelling. Experiments were performed to understand the locking of dislocations by oxygen and to measure the unlocking stress of dislocations in the temperature range 350-900degreesC for different anneali...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Ձևաչափ:	Conference item
Հրապարակվել է:	Trans Tech Publications Ltd 2004

Նմանատիպ նյութեր

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2002)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2001)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2001)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005)
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2003)

Impurity locking of dislocations in silicon
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2004)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2004)

Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2002)

A study of oxygen dislocation interactions in CZ-Si
‌: Senkader, S, և այլն
Հրապարակվել է: (2000)

The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers
‌: Giannattasio, A, և այլն
Հրապարակվել է: (2003)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
‌: Stowe, D, և այլն
Հրապարակվել է: (2004)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

Near-band gap luminescence at room temperature from dislocations in silicon
‌: Stowe, D, և այլն
Հրապարակվել է: (2003)

The role of dislocations in producing efficient near-bandgap luminescence from silicon
‌: Fraser, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2007)

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
‌: Giannattasio, A
Հրապարակվել է: (2004)

Nitrogen-doped silicon: Mechanical, transport and electrical properties
‌: Murphy, J, և այլն
Հրապարակվել է: (2006)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
‌: Zeng, Z, և այլն
Հրապարակվել է: (2011)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2009)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
‌: Stowe, D, և այլն
Հրապարակվել է: (2005)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
‌: Jurkschat, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2001)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2009)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2009)

Measurements of Dislocation Locking by Near-Surface Ion-Implanted Nitrogen in Czochralski Silicon
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2009)

Measurements of dislocation locking by near-surface ion-implanted nitrogen in Czochralski silicon
‌: Alpass, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2008)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
‌: Fraser, K, և այլն
Հրապարակվել է: (2008)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
‌: Ourmazd, A, և այլն
Հրապարակվել է: (1983)