Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C

Contamination of silicon by iron at temperatures below 800 degrees C

Iron-related defects are deleterious in silicon-based integrated circuits and photovoltaics, ruining devices and acting as strong recombination centres. Unless great care is taken, iron contamination will result from high temperature processing and so it is essential to understand the degree to whic...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Murphy, J, Falster, R
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2011

Những quyển sách tương tự

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

The relaxation behaviour of supersaturated iron in single-crystal silicon at 500 to 750 degrees C
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 degrees C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

K+-nucleon amplitudes in the medium below 800 MeV/c
Bằng: Friedman E.
Được phát hành: (2016-01-01)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
Bằng: Bothe, K, et al.
Được phát hành: (2012)

NEUTRON-IRRADIATION OF SILICON DIODES AT TEMPERATURES OF +20-DEGREES-C AND -20-DEGREES-C
Bằng: Anghinolfi, F, et al.
Được phát hành: (1993)

In-situ TEM investigation of dislocation healing and recrystallization in nanoscratched silicon at elevated temperatures up to 800 °C
Bằng: Zhen Li, et al.
Được phát hành: (2024-07-01)

GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1992)

Nitrogen in silicon: Diffusion at 500-750 °C and interaction with dislocations
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

Degree structures below 0'
Bằng: Liu, Jiang
Được phát hành: (2010)

Creep behaviour of alloy 690 in the temperature range 800–1000 °C
Bằng: Kumar Sourabh, et al.
Được phát hành: (2022-03-01)

GETTERING IN SILICON
Bằng: Falster, R
Được phát hành: (1989)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2008)

Effect Of Thermal Treatment Of Trepel At Temperature Range 800-1200˚C
Bằng: Reka Arianit A., et al.
Được phát hành: (2019-12-01)

Tensile tests on stainless steels in temperature range 800 to 1200°C
Bằng: Arh, B., et al.
Được phát hành: (2008-04-01)

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2013)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2004)

Impurity locking of dislocations in silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2004)

Structural and Electronic Properties of Polycrystalline InAs Thin Films Deposited on Silicon Dioxide and Glass at Temperatures below 500 °C
Bằng: Anya Curran, et al.
Được phát hành: (2021-02-01)

Comparing the Cold-Cranking Performance of Lead-Acid and Lithium Iron Phosphate Batteries at Temperatures below 0 °C
Bằng: Sophia Bauknecht, et al.
Được phát hành: (2023-03-01)

Low Temperature Conductivity in n-Type Noncompensated Silicon below Insulator-Metal Transition
Bằng: A. L. Danilyuk, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)

The effect of impurity-induced lattice strain and Fermi level position on low temperature oxygen diffusion in silicon
Bằng: Zeng, Z, et al.
Được phát hành: (2011)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen diffusion and interaction with dislocations in single-crystal silicon
Bằng: Alpass, C, et al.
Được phát hành: (2009)

Fatigue life curves of alloy 617 in the temperature range of 800–950 °C
Bằng: Injin Sah, et al.
Được phát hành: (2023-02-01)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Bằng: Lang, V, et al.
Được phát hành: (2012)

Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2002)

A room temperature cathodoluminescence study of dislocations in silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2004)

The effect of time variation on the results of increasing titanomagnetite in iron sand at magnetization temperature (800°C) with Na2SO4 addition as additive
Bằng: Maulana Hedi Eka, et al.
Được phát hành: (2018-01-01)

Recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Kinetics of Oxidation of Binary Ti-Cu Alloys in the 600–800 °C Temperature Range
Bằng: Fatemah Alqattan, et al.
Được phát hành: (2025-02-01)

Friction and wear behavior of copper metal matrix composites at temperatures up to 800 °C
Bằng: Yelong Xiao, et al.
Được phát hành: (2022-07-01)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

DLTS characterization of aluminum gettering of iron contaminants in boron-doped silicon
Bằng: Thienprasit, Jeanne A. (Jeanne Athya)
Được phát hành: (2005)

Demonstration of avalanche capability in 800 V vertical GaN-on-silicon diodes
Bằng: Youssef Hamdaoui, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

High-temperature oxidation behavior of TA15 aerospace titanium alloy at 500 °C and 800 °C
Bằng: Wen Zhong, et al.
Được phát hành: (2024-05-01)