THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON

Նմանատիպ նյութեր

• TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
  ‌: Ourmazd, A, և այլն
  Հրապարակվել է: (1983)
• MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
  ‌: Ourmazd, A, և այլն
  Հրապարակվել է: (1982)
• NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
  ‌: Wilshaw, P, և այլն
  Հրապարակվել է: (1985)
• DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
  ‌: Wilshaw, P, և այլն
  Հրապարակվել է: (1986)
• SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
  ‌: Wilshaw, P, և այլն
  Հրապարակվել է: (1983)