Influence of carbon on the formation of the Si(001) c(4 x 4) surface reconstruction

Influence of carbon on the formation of the Si(001) c(4 x 4) surface reconstruction

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Norenberg, H, Briggs, G
Médium:	Conference item
Vydáno:	1999

Podobné jednotky

An elevated temperature STM study of the Si(001) c(4x4) surface reconstruction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

The Si(001) c(4 x 4) surface reconstruction: a comprehensive experimental study
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Network-like (7 root 2 x root 2)R45 degrees surface reconstruction on rutile TiO2,(001) by non-equilibrium self-organization
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

AN STM STUDY OF THE CHEMISORPTION OF C2H4 ON SI(001)(2X1)
Autor: Mayne, A, a další
Vydáno: (1993)

Bias-dependent STM investigations of trimethylgallium adsorption on Si(001) at elevated temperatures
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1998)

Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)

SrTiO3(001) reconstructions: the (2 x 2) to c(4 x 4) transition
Autor: Silly, F, a další
Vydáno: (2006)

The surface structure of TiO2(001) after high temperature annealing studied by AFM, STM, and optical microscopy
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (2000)

Bismuth-induced structures on Si(001) surfaces
Autor: Miki, K, a další
Vydáno: (1999)

Surface structure of the most oxygen deficient Magneli phase - an STM study of Ti4O7
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1998)

The c(4 × 4)–a(1 × 3) surface reconstruction transition on InSb(001): Static versus dynamic conditions
Autor: J.J. Bomphrey, a další
Vydáno: (2015-01-01)

An experimental-theoretical study of the behaviour of hydrogen on the Si(001) surface
Autor: Bowler, DR, a další
Vydáno: (2000)

Hydrogen diffusion on Si(001)
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1996)

Nucleation and growth of CoSi2 dots on Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)

Elevated-temperature STM study of Ge and Si growth on Si(001) from GeH4 and Si2H6
Autor: Owen, J, a další
Vydáno: (1997)

Defect formation on CeO2(111) surfaces after annealing studied by STM
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Diffusion of paired hydrogen on Si(001)
Autor: Bowler, DR, a další
Vydáno: (1998)

Formation and Organization of Amino Terminated Self-assembled Layers on Si(001) Surface
Autor: Demirel G, a další
Vydáno: (2007-01-01)

Influence of the Localization of Ge Atoms within the Si(001)(4 × 2) Surface Layer on Semicore One-Electron States
Autor: Olha I. Tkachuk, a další
Vydáno: (2016-03-01)

Atomically perfect bismuth lines on Si(001)
Autor: Miki, K, a další
Vydáno: (1999)

Hydrocarbon adsorption on Si(001): When does the Si dimer bond break?
Autor: Fisher, A, a další
Vydáno: (1997)

Finite element analysis of CoSi2 nanocrystals on Si(001)
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (2002)

Formation and stability of Fe-rich terminations of the Fe3O4(001) surface
Autor: Oscar Gamba, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Surface reconstructions on the (100) CoSi2 surface
Autor: Kenny, S, a další
Vydáno: (2000)

Competing growth mechanisms of Ge/Si(001) coherent clusters
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1997)

Tilt boundary formation in GeSi/Si (001) vicinal heterosystem
Autor: Aleksei V. Kolesnikov, a další
Vydáno: (2015-03-01)

An STM study of the UO2(001) surface
Autor: Muggelberg, C, a další
Vydáno: (1999)

Atomistic simulation of epitaxial Si film growth on Si (001) surface
Autor: Xie, Xuepeng.
Vydáno: (2008)

The incommensurate nature of epitaxial titanium disilicide islands on Si(001)
Autor: Briggs, G, a další
Vydáno: (2000)

Formation of single-domain anatase TiO2(001)-(1 x 4) islands on SrTiO3(001) after thermal annealing
Autor: Silly, F, a další
Vydáno: (2004)

Formation of single-domain anatase TiO2(001)-(1x4) islands on SrTiO3(001) after thermal annealing
Autor: Silly, F, a další
Vydáno: (2004)

Reactive deposition epitaxy of CoSi2 nanostructures on Si(001): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal
Autor: Goldfarb, I, a další
Vydáno: (1999)

Influence of composition and substrate miscut on the evolution of {105}-terminated in-plane Si1−xGex quantum wires on Si(001)
Autor: H. Watzinger, a další
Vydáno: (2014-07-01)

Unveiling diverse coordination-defined electronic structures of reconstructed anatase TiO2(001)-(1 × 4) surface
Autor: Xiaochuan Ma, a další
Vydáno: (2024-03-01)

First principles study of GeSi exchange mechanisms at the Si(001) surface
Autor: Zipoli, F, a další
Vydáno: (2008)

Effects of Si(001) surface amorphization on ErSi2 thin film
Autor: Pey, Kin Leong, a další
Vydáno: (2013)

Experimental estimation of oxidation-induced Si atoms emission on Si(001) surfaces
Autor: Shuichi Ogawa, a další
Vydáno: (2015-08-01)

The surface structure of CeO2(110) single crystals studied by STM and RHEED
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1999)

Surface structure of CeO2(111) studied by low current STM and electron diffraction
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1998)

Defect structure of nonstoichiometric CeO2(111) surfaces studied by scanning tunneling microscopy
Autor: Norenberg, H, a další
Vydáno: (1997)