Surface ionisation of molecular H2 and atomic H Rydberg states at doped silicon surfaces
The detection of ions or electrons from the surface ionisation of molecular H2 and atomic H Rydberg states incident at doped Si surfaces is investigated experimentally to analyse the effect of the dopant charge distribution on the surface-ionisation processes. In both experimental studies, the molec...
Հիմնական հեղինակներ: | Sashikesh, G, So, E, Ford, MS, Softley, T |
---|---|
Ձևաչափ: | Conference item |
Հրապարակվել է: |
Taylor and Francis Ltd.
2014
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Surface ionisation of molecular H-2 and atomic H Rydberg states at doped silicon surfaces
: Sashikesh, G, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Ionization of Rydberg H2 molecules at doped silicon surfaces.
: Sashikesh, G, և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Detection of electrons in the surface ionization of H Rydberg atoms and H-2 Rydberg molecules
: McCormack, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Detection of electrons in the surface ionization of H Rydberg atoms and H-2 Rydberg molecules
: McCormack, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2012) -
Charge Transfer of Rydberg H Atoms at a Metal Surface
: So, E, և այլն
Հրապարակվել է: (2011)